Search results
- Analysis of emission and capture processes in GaAsN p-i-n solar cell / aut. Arpád Kósa, Wojciech Dawidowski, Jakub Drobný, Matej Matuš, Peter Benko, Damian Radziewicz, Beata Ściana, Ľubica Stuchlíková
Kósa Arpád ; 033000 Dawidowski Wojciech Drobný Jakub ; 033000 Matuš Matej ; 030000 Benko Peter ; 033000 Radziewicz Damian Ściana Beata Stuchlíková Ľubica ; 033000
ADEPT 2022 : . S. 254-257
GaAsN DLTFS emission and capture processes
článok zo zborníka
AFD - Reports at home scientific conferences
V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka
article
- Annealing impact on the defect distribution in GaAsN/GaAs heterostructures / aut. Ľubica Stuchlíková, Arpád Kósa, Peter Benko, Matej Matuš, Darko Činčurak, Wojciech Dawidowski, Damian Radziewicz, Beata Ściana
Stuchlíková Ľubica ; 033000 Kósa Arpád ; 033000 Benko Peter ; 033000 Matuš Matej ; 030000 Činčurak Darko ; 030000 Dawidowski Wojciech Radziewicz Damian Ściana Beata
ADEPT 2022 : . S. 250-253
Deep Level Transient Fourier Spectroscopy GaAsN annealing
článok zo zborníka
AFD - Reports at home scientific conferences
V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníkaarticle
- How does nitrogen incorporate into GaAsN epitaxial layers? / aut. Wojciech Dawidowski, Beata Ściana, J Jadczak, A Łozińska, V Manuel, M. C López-Escalante, M Gabás, Arpád Kósa, Jakub Drobný, Ľubica Stuchlíková, Damian Radziewicz
Dawidowski Wojciech Ściana Beata Jadczak J. Łozińska A. Manuel V. López-Escalante M. C. Gabás M. Kósa Arpád ; 033000 Drobný Jakub ; 033000 Stuchlíková Ľubica ; 033000 Radziewicz Damian
ADEPT 2021 : . S. 59-62
Dilute nitrides GaAsN nitrogen interstitial defects HRXRD XPS DLTFS Raman spectroscopy
článok zo zborníka
AFD - Reports at home scientific conferences
V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníkaarticle
- Analysis of current transport mechanism in AP-MOVPE grown GaAsN p-i-n solar cell / aut. Wojciech Dawidowski, Beata Sciana, Katarzyna Bielak, Miroslav Mikolášek, Jakub Drobný, Jarosław Serafińczuk, Iván Lombardero, Damian Radziewicz, Wojciech Kijaszek, Arpád Kósa, Martin Florovič, Jaroslav jr Kováč, Carlos Algora, Ľubica Stuchlíková
Dawidowski Wojciech Sciana Beata Bielak Katarzyna Mikolášek Miroslav ; 033000 Drobný Jakub ; 033000 Serafińczuk Jarosław Lombardero Iván Radziewicz Damian Kijaszek Wojciech Kósa Arpád ; 033000 Florovič Martin ; 033000 Kováč Jaroslav jr. ; 033000 Algora Carlos Stuchlíková Ľubica ; 033000
Energies . Vol. 14, Iss. 15 (2021), Art. no. 4651 [18] s.
solar cell Dilute nitrides GaAsN reciprocal lattice maps J-V-T measurements carrier transport mechanism recombination thermionic field emission DLTS spectroscopy defects nitrogen interstitial
https://www.mdpi.com/1996-1073/14/15/4651
článok z periodika
ADC - Scientific titles in foreign carented magazines and noticed year-books
V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisuarticle
- DLTS study of defect distribution in GaAsN p-i-n structures for solar cells / aut. Arpád Kósa, Jakub Drobný, Wojciech Dawidowski, Miroslav Mikolášek, Jaroslav jr Kováč, Beata Sciana, Ľubica Stuchlíková
Kósa Arpád ; 033000 Drobný Jakub ; 033000 Dawidowski Wojciech Mikolášek Miroslav ; 033000 Kováč Jaroslav jr. ; 033000 Sciana Beata Stuchlíková Ľubica ; 033000
ADEPT 2020 : . S. 183-186
GaAsN defects DLTS study
článok zo zborníka
AFD - Reports at home scientific conferences
V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníkaarticle
- DLTS study of InGaAs and GaAsN structures with different indium and nitrogen compositions / aut. Arpád Kósa, Ľubica Stuchlíková, Ladislav Harmatha, Jaroslav Kováč, Beata Sciana, Wojciech Dawidowski, Marek Tlaczala
Kósa Arpád ; 033000 Stuchlíková Ľubica ; 033000 Harmatha Ladislav ; 033000 Kováč Jaroslav ; 033000 Sciana Beata Dawidowski Wojciech Tlaczala Marek
Materials Science in Semiconductor Processing . Vol. 74, (2018), s. 313-318
semiconductor structure composition deep energy level Deep Level Transient Spectroscopy InGaAs GaAsN AP-MOVPE
https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S1369800117310685
článok z periodika
ADC - Scientific titles in foreign carented magazines and noticed year-books
V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisuarticle
- Composition related electrical active defect states of InGaAs and GaAsN / aut. Arpád Kósa, Ľubica Stuchlíková, Ladislav Harmatha, Jaroslav Kováč, Beata Sciana, Wojciech Dawidowski, Marek Tlaczala
Kósa Arpád ; 033000 Stuchlíková Ľubica ; 033000 Harmatha Ladislav ; 033000 Kováč Jaroslav ; 033000 Sciana Beata Dawidowski Wojciech Tlaczala Marek
Advances in Electrical and Electronic Engineering : . Vol. 15, No. 1 (2017), s. 114-119
Deep energy levels Deep Level Transient Fourier Spectroscopy electrically active defects GaAsN Indium InGaAs nitrogen
http://advances.utc.sk/index.php/AEEE/article/view/2023
článok z periodika
ADM - 13/NOVÉ Vedecké práce v zahraničných časopisoch registrovaných v databázach Web of Science alebo SCOPUS
V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisuarticle
- Indium and nitrogen composition dependent InGaAsN electrical active defects / aut. Arpád Kósa, Michal Csiba, Ondrej Pohorelec, Ľubica Stuchlíková, Ladislav Harmatha, Jaroslav Kováč, Beata Sciana, Wojciech Dawidowski, Marek Tlaczala
Kósa Arpád ; 033000 Csiba Michal Pohorelec Ondrej ; 030000 Stuchlíková Ľubica ; 033000 Harmatha Ladislav ; 033000 Kováč Jaroslav ; 033000 Sciana Beata Dawidowski Wojciech Tlaczala Marek
ADEPT 2016 : . S. 191-194
Deep Level Transient Fourier Spectroscopy electrically active defects InGaAs GaAsN Indium nitrogen
článok zo zborníka
AFD - Reports at home scientific conferences
V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníkaarticle