Search results
- Electrically Active Defects in InAlGaN/GaN HEMT structures / aut. Matej Matuš, Jakub Drobný, Martin Florovič, Juraj Marek, Sylvain Laurent Delage, Ľubica Stuchlíková
Matuš Matej ; 033000 Drobný Jakub Florovič Martin ; 033000 Marek Juraj ; 033000 Delage Sylvain Laurent Stuchlíková Ľubica ; 033000
WOCSDICE‐EXMATEC 2023 : . S. 21-22
článok zo zborníka
BEE - Scientific works in not noticed year-books from international undertakings, foreign year-books
O2 - Odborný výstup publikačnej činnosti ako časť knižnej publikácie alebo zborníka
article
- Deep Level Transient Spectroscopy study of InAlGaN/GaN HEMT structures / aut. Matej Matuš, Jakub Drobný, Peter Benc, Martin Florovič, Sylvain Laurent Delage, Ľubica Stuchlíková
Matuš Matej ; 033000 Drobný Jakub Benc Peter Florovič Martin ; 033000 Delage Sylvain Laurent Stuchlíková Ľubica ; 033000
ADEPT 2023 : . S. 103-106
GaN HEMT defects Deep Level Transient Spectroscopy
článok zo zborníka
AFD - Reports at home scientific conferences
V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníkaarticle
- The HEMT average temperature determination utilizing transfer characteristics / aut. Martin Florovič, Jaroslav jr Kováč, Jaroslav Kováč, Aleš Chvála, Jean-Claude Jacquet, Sylvain Laurent Delage
Florovič Martin ; 033000 Kováč Jaroslav jr. ; 033000 Kováč Jaroslav ; 033000 Chvála Aleš ; 033000 Jacquet Jean-Claude Delage Sylvain Laurent
ADEPT 2023 : . S. 63-66
HEMT AlGaN/GaN transfer characteristics self-heating average temperature charge trapping
článok zo zborníka
AFD - Reports at home scientific conferences
V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníkaarticle
- Average Temperature Determination of AlGaN/GaN HEMT Utilizing Pinch-Off Voltage Biasing / aut. Martin Florovič, Jaroslav jr Kováč, Aleš Chvála, Jaroslav Kováč, Jean-Claude Jacquet, Sylvain Laurent Delage
Florovič Martin ; 033000 Kováč Jaroslav jr. ; 033000 Chvála Aleš ; 033000 Kováč Jaroslav ; 033000 Jacquet Jean-Claude Delage Sylvain Laurent
IEEE Transactions on Electron Devices . Vol. 70, No. 11 (2023), s. 5803-5806
AlGaN average temperature field effect transistor (FET) gallium nitride (GaN) HEMT power dissipation thermal model
https://ieeexplore.ieee.org/document/10268943
článok z periodika
ADM - 13/NOVÉ Vedecké práce v zahraničných časopisoch registrovaných v databázach Web of Science alebo SCOPUS
V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisuarticle
- 3D Thermal Simulation of GaAs-Based HEMT on Foreign Substrates / aut. Aleš Chvála, Jaroslav jr Kováč, Dagmar Gregušová, Milan Ťapajna, Filip Gucmann, Juraj Marek, Martin Florovič
Chvála Aleš ; 033000 Kováč Jaroslav jr. ; 033000 Gregušová Dagmar Ťapajna Milan Gucmann Filip Marek Juraj ; 033000 Florovič Martin ; 033000
MicDAT 2023 : . S. 20-23
High electron mobility transistor GaAs nanomembranes Epitaxial lift-off technique 3D thermal simulation GaAs Al2O3 Si SiC diamond substrates
článok zo zborníka
AFC - Reports at international scientific conferences
V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníkaarticle
- Thermal resistance utilization as a key parameter for HEMT average temperature determination / aut. Martin Florovič, Jaroslav jr Kováč, Jaroslav Kováč, Aleš Chvála, Jean-Claude Jacquet, Sylvain Laurent Delage
Florovič Martin ; 033000 Kováč Jaroslav jr. ; 033000 Kováč Jaroslav ; 033000 Chvála Aleš ; 033000 Jacquet Jean-Claude Delage Sylvain Laurent
ADEPT 2022 : . S. 246-249
HEMT AlGaN/GaN I-V characteristics thermal resistance channel temperature
článok zo zborníka
AFD - Reports at home scientific conferences
V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníkaarticle
- HEMT average temperature determination utilizing low-power device operation / aut. Martin Florovič, Jaroslav jr Kováč, Aleš Chvála, Jaroslav Kováč, Jean-Claude Jacquet, Sylvain Laurent Delage
Florovič Martin ; 033000 Kováč Jaroslav jr. ; 033000 Chvála Aleš ; 033000 Kováč Jaroslav ; 033000 Jacquet Jean-Claude Delage Sylvain Laurent
IEEE Transactions on Electron Devices . Vol. 69, No. 10 (2022), s. 5484-5489
AlGaN average channel temperature charge trapping FET GaN HEMT
https://ieeexplore.ieee.org/document/9875358
článok z periodika
ADC - Scientific titles in foreign carented magazines and noticed year-books
V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisuarticle
- Theoretical and experimental substractions of device temperature determination utilizing I-V characterization applied on AlGaN/GaN HEMT / aut. Martin Florovič, Jaroslav jr Kováč, Aleš Chvála, Jaroslav Kováč, Jean-Claude Jacquet, Sylvain Laurent Delage
Florovič Martin ; 033000 Kováč Jaroslav jr. ; 033000 Chvála Aleš ; 033000 Kováč Jaroslav ; 033000 Jacquet Jean-Claude Delage Sylvain Laurent
Electronics . Vol. 10, iss. 22 (2021), Art. no. 2738 [12] s.
AlGaN FET GaN HEMT thermal current temperature profile average temperature
https://www.mdpi.com/2079-9292/10/22/2738
článok z periodika
ADC - Scientific titles in foreign carented magazines and noticed year-books
V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisuarticle
- Channel temperature determination of HEMT in quasi-static operation / aut. Martin Florovič, Jaroslav jr Kováč, Jaroslav Kováč, Aleš Chvála, Jean-Claude Jacquet, Sylvain Laurent Delage
Florovič Martin ; 033000 Kováč Jaroslav jr. ; 033000 Kováč Jaroslav ; 033000 Chvála Aleš ; 033000 Jacquet Jean-Claude Delage Sylvain Laurent
ADEPT 2021 : . S. 75-78
HEMT GaN I-V characteristics conductance channel temperature
článok z periodika
AFD - Reports at home scientific conferences
V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníkaarticle
- Models for the self-heating evaluation of a gallium nitride-based high electron mobility transistor / aut. Martin Florovič, Jaroslav jr Kováč, Jaroslav Kováč, Aleš Chvála, Martin Weis, Jean-Claude Jacquet, Sylvain Laurent Delage
Florovič Martin ; 033000 Kováč Jaroslav jr. ; 033000 Kováč Jaroslav ; 033000 Chvála Aleš ; 033000 Weis Martin ; 033000 Jacquet Jean-Claude Delage Sylvain Laurent
Semiconductor Science and Technology . Vol. 36, No. 2 (2021), Art. no. 025019 [9] s.
Gallium Nitride field-effect transistor High electron mobility transistor average temperature thermal resistance
článok z periodika
ADC - Scientific titles in foreign carented magazines and noticed year-books
V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisuarticle