Search results

Records found: 102  
Your query: Author Sysno = "^stu_us_auth stu58417^"
  1. Influence of annealing temperature on emission and capture processes in GaAsN/GaAs heterostructures / aut. Peter Benko, Arpád Kósa, Matej Matuš, Wojciech Dawidowski, Damian Radziewicz, Beata Sciana, Ľubica Stuchlíková
    Benko Peter ; 033000  Kósa Arpád ; 033000 Matuš Matej ; 033000 Dawidowski Wojciech Radziewicz Damian Sciana Beata Stuchlíková Ľubica ; 033000
    ASDAM 2022 : . S. 17-20
    https://ieeexplore.ieee.org/document/9966749
    článok zo zborníka
    AFD - Reports at home scientific conferences
    V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka
    article

    article

  2. Evaluation of effective mass in InGaAsN/GaAs quantum wells using transient spectroscopy / aut. Ľubica Stuchlíková, Beata Sciana, Arpád Kósa, Matej Matúš, Peter Benko, Juraj Marek, Martin Donoval, Wojciech Dawidowski, Damian Radziewicz, Martin Weis
    Stuchlíková Ľubica ; 033000  Sciana Beata Kósa Arpád ; 033000 Matuš Matej ; 033000 Benko Peter ; 033000 Marek Juraj ; 033000 Donoval Martin ; 030690 Dawidowski Wojciech Radziewicz Damian Weis Martin ; 033000
    Materials . Vol. 15, iss. 21 (2022), Art. no. 7621 [7] s.
    quantum well electron effective mass transient spectroscopy
    https://www.mdpi.com/1996-1944/15/21/7621
    článok z periodika
    ADC - Scientific titles in foreign carented magazines and noticed year-books
    V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    article

    article

  3. The influence of the rapid thermal annealing process on defect distribution in GaAsN Schottky diodes / aut. Arpád Kósa, Wojciech Dawidowski, Beata Sciana, Aleš Chvála, Ľubica Stuchlíková
    Kósa Arpád ; 033000  Dawidowski Wojciech Sciana Beata Chvála Aleš ; 033000 Stuchlíková Ľubica ; 033000
    SURFINT - SREN VII : . S. 33-34
    článok zo zborníka
    AFH - Abstractions of scientific titles in year-books from home conferences
    V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka
    article

    article

  4. Analysis of current transport mechanism in AP-MOVPE grown GaAsN p-i-n solar cell / aut. Wojciech Dawidowski, Beata Sciana, Katarzyna Bielak, Miroslav Mikolášek, Jakub Drobný, Jarosław Serafińczuk, Iván Lombardero, Damian Radziewicz, Wojciech Kijaszek, Arpád Kósa, Martin Florovič, Jaroslav jr Kováč, Carlos Algora, Ľubica Stuchlíková
    Dawidowski Wojciech  Sciana Beata Bielak Katarzyna Mikolášek Miroslav ; 033000 Drobný Jakub ; 033000 Serafińczuk Jarosław Lombardero Iván Radziewicz Damian Kijaszek Wojciech Kósa Arpád ; 033000 Florovič Martin ; 033000 Kováč Jaroslav jr. ; 033000 Algora Carlos Stuchlíková Ľubica ; 033000
    Energies . Vol. 14, Iss. 15 (2021), Art. no. 4651 [18] s.
    solar cell Dilute nitrides GaAsN reciprocal lattice maps J-V-T measurements carrier transport mechanism recombination thermionic field emission DLTS spectroscopy defects nitrogen interstitial
    https://www.mdpi.com/1996-1073/14/15/4651
    článok z periodika
    ADC - Scientific titles in foreign carented magazines and noticed year-books
    V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    article

    article

  5. The influence of the rapid thermal annealing process on defect distribution in GaAsN p-i-n structures for solar cells / aut. Arpád Kósa, Jakub Drobný, Wojciech Dawidowski, Miroslav Mikolášek, Beata Sciana, Ľubica Stuchlíková
    Kósa Arpád ; 033000  Drobný Jakub ; 033000 Dawidowski Wojciech Mikolášek Miroslav ; 033000 Sciana Beata Stuchlíková Ľubica ; 033000
    ASDAM 2020 : . S. 157-160
    https://ieeexplore.ieee.org/document/9393869
    článok zo zborníka
    AFD - Reports at home scientific conferences
    V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka
    article

    article

  6. DLTS study of defect distribution in GaAsN p-i-n structures for solar cells / aut. Arpád Kósa, Jakub Drobný, Wojciech Dawidowski, Miroslav Mikolášek, Jaroslav jr Kováč, Beata Sciana, Ľubica Stuchlíková
    Kósa Arpád ; 033000  Drobný Jakub ; 033000 Dawidowski Wojciech Mikolášek Miroslav ; 033000 Kováč Jaroslav jr. ; 033000 Sciana Beata Stuchlíková Ľubica ; 033000
    ADEPT 2020 : . S. 183-186
    GaAsN defects DLTS study
    článok zo zborníka
    AFD - Reports at home scientific conferences
    V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka
    article

    article

  7. Diffraction properties and application of 3D polymer woodpile photonic crystal structure / aut. Petra Urbancová, Dušan Pudiš, Matej Goraus, Ľuboš Šušlik, Beata Sciana, Wojciech Dawidowski, Jaroslav Kováč, Jaroslava Škriniarová
    Urbancová Petra  Pudiš Dušan Goraus Matej Šušlik Ľuboš Sciana Beata Dawidowski Wojciech Kováč Jaroslav ; 033000 Škriniarová Jaroslava ; 033000
    Advances in Electrical and Electronic Engineering : . Vol. 17, No. 3 (2019), s. 367-373
    diffraction photonic crystal woodpile structure
    http://advances.utc.sk/index.php/AEEE/article/view/3329
    článok z periodika
    ADM - 13/NOVÉ Vedecké práce v zahraničných časopisoch registrovaných v databázach Web of Science alebo SCOPUS
    V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    article

    article

  8. Defect distribution in Fe - doped InP epitaxial layers / aut. Arpád Kósa, Jakub Drobný, Jaroslav jr Kováč, M Badura, Beata Sciana, Ľubica Stuchlíková
    Kósa Arpád ; 033000  Drobný Jakub ; 033000 Kováč Jaroslav jr. ; 033000 Badura M. Sciana Beata Stuchlíková Ľubica ; 033000
    ADEPT 2019 : . S. 175-178
    Fe doped InP defect Deep Level Transient Fourier Spectroscopy
    článok zo zborníka
    AFD - Reports at home scientific conferences
    V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka
    article

    article

  9. Reliability improvement of electrically active defect investigations by analytical and experimental deep level transient: Fourier spectroscopy investigations / aut. Arpád Kósa, Beata Sciana, Ľubica Stuchlíková
    Kósa Arpád ; 033000  Sciana Beata Stuchlíková Ľubica ; 033000
    Journal of Electrical Engineering : . Vol. 70, No. 7s (2019), s. 27-35
    Deep Level Transient Fourier Spectroscopy arrhenius data analysis electrically active defects GaAs p-i-n deep energy level
    http://iris.elf.stuba.sk/JEEEC/data/pdf/7s_119-03.pdf
    článok z periodika
    AFD - Reports at home scientific conferences
    V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    article

    article

  10. DLTS study of InGaAs and GaAsN structures with different indium and nitrogen compositions / aut. Arpád Kósa, Ľubica Stuchlíková, Ladislav Harmatha, Jaroslav Kováč, Beata Sciana, Wojciech Dawidowski, Marek Tlaczala
    Kósa Arpád ; 033000  Stuchlíková Ľubica ; 033000 Harmatha Ladislav ; 033000 Kováč Jaroslav ; 033000 Sciana Beata Dawidowski Wojciech Tlaczala Marek
    Materials Science in Semiconductor Processing . Vol. 74, (2018), s. 313-318
    semiconductor structure composition deep energy level Deep Level Transient Spectroscopy InGaAs GaAsN AP-MOVPE
    https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S1369800117310685
    článok z periodika
    ADC - Scientific titles in foreign carented magazines and noticed year-books
    V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    article

    article


  This site uses cookies to make them easier to browse. Learn more about how we use cookies.