Search results

Records found: 10  
Your query: Author Sysno = "^stu_us_auth stus25507^"
  1. Comparative study of the MeV ion channeling implantation induced damage in 6H-SiC by the iterative procedure and phenomenological CSIM computer code / aut. Marko P Gloginjić, Marko V Erich, Željko V Mravik, Branislav Vrban, Štefan Čerba, Jakub Lüley, Vendula Filová, Karel Katovský, Ondřej Štastný, Jiří Burian, Srdjan M Petrović
    Gloginjić Marko P.  Erich Marko V. Mravik Željko V. Vrban Branislav ; 036000 Čerba Štefan ; 036000 Lüley Jakub ; 036000 Filová Vendula ; 036000 Katovský Karel Štastný Ondřej Burian Jiří Petrović Srdjan M.
    Nuclear Technology and Radiation Protection . Vol. 37, Iss. 2 (2022), s. 128-137
    silicon carbide computer simulation iterative procedure RBS/C and EBS/C spectrometry
    http://www.doiserbia.nb.rs/Article.aspx?id=1451-39942202128G#.Y3dbPOSZOUk
    článok z periodika
    ADM - 13/NOVÉ Vedecké práce v zahraničných časopisoch registrovaných v databázach Web of Science alebo SCOPUS
    V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    article

    article

  2. Microstructure and selected properties of Si3N4 + SiC composite / aut. Zuzana Gábrišová, Pavol Švec, Alena Brusilová
    Gábrišová Zuzana ; 020050  Švec Pavol ; 020050 Brusilová Alena ; 020050
    Manufacturing technology : . Vol. 20, iss. 3 (2020), s. 293-299
    silicon carbide
    článok z periodika
    ADM - 13/NOVÉ Vedecké práce v zahraničných časopisoch registrovaných v databázach Web of Science alebo SCOPUS
    V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    article

    article

  3. E-learning course as the first step to a mysterious world of science and technology / aut. Ľubica Stuchlíková, Robert Szobolovszký, Peter Benko, Jaroslav jr Kováč, Jiří Hrbáček
    Stuchlíková Ľubica ; 033000  Szobolovszký Robert ; 033000 Benko Peter ; 033000 Kováč Jaroslav jr. ; 033000 Hrbáček Jiří
    Distance learning, simulation and communication 2017 : . CD-ROM, S. 325-330
    e-learning course Wide band-gap semiconductors silicon silicon carbide Gallium Nitride popularization of science and technology Electronics
    článok zo zborníka
    AFC - Reports at international scientific conferences
    V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka
    article

    article

  4. The influence of neutrons and Xe-ions flux on c-Si - a-SiC photovoltaic device / aut. Milan Perný, Michal Váry, Vladimír Šály, Miroslav Mikolášek, Jozef Huran
    Perný Milan ; 032000  Váry Michal ; 032000 Šály Vladimír ; 032000 Mikolášek Miroslav ; 033000 Huran Jozef
    32nd European photovoltaic solar energy conference and exhibition : . S. 260-262
    silicon carbide PECVD impedance heterojunction
    článok zo zborníka
    AFC - Reports at international scientific conferences
    V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka
    article

    article

  5. Parametre porúch v polovodičových štruktúrach
    Kósa Arpád ; E030  Stuchlíková Ľubica (Thesis advisor) ; E030
    Bratislava : STU v Bratislave FEI, 2013 . - 62 s CD-ROOM
    Mikroelektronika Microelectronics silicon carbide karbid kremíka
    http://is.stuba.sk/zp/portal_zp.pl?podrobnosti=92429
    diplomová práca
    Faculty Available Inaccesible Issued For Request Only
    FEI0001
    book

    book

  6. Registrácia ionizujúceho žiarenia SiC detektorom
    Brejčák Ľuboš ; E  Šagátová Andrea (Thesis advisor) ; E060
    Bratislava : STU v Bratislave FEI, 2013 . - 29 s
    Electrical Engineering silicon carbide karbid kremíka
    http://is.stuba.sk/zp/portal_zp.pl?podrobnosti=78112
    bakalárska práca
    Faculty Available Inaccesible Issued For Request Only
    FEI0001
    book

    book

  7. Štúdium vplyvu chemického zloženia na vlastnosti keramického kompozitu Si3N4+SiC
    Knap Marek ; J  Gábrišová Zuzana (Thesis advisor) ; J280
    Bratislava : STU v Bratislave SjF, 2013
    Production Processes and Materials silicon carbide silicon nitride karbid kremíka nitrid kremíka Si3N4 strojárske technológie a materiály
    http://is.stuba.sk/zp/portal_zp.pl?podrobnosti=94935
    diplomová práca
    Faculty Available Inaccesible Issued For Request Only
    SJF1000
    book

    book

  8. Vplyv parametrov prípravy na vybrané vlastnosti kompozitného systému Si3N4+SiC
    Miča Peter ; J  Gábrišová Zuzana (Thesis advisor) ; J280
    Bratislava : STU v Bratislave SjF, 2013
    Production Processes and Materials silicon carbide silicon nitride nitrid kremíka žiarové lisovanie karbid kremíka strojárske technológie a materiály
    http://is.stuba.sk/zp/portal_zp.pl?podrobnosti=94930
    diplomová práca
    Faculty Available Inaccesible Issued For Request Only
    SJF1000
    book

    book

  9. C-SiC Composite materials prepared by reaction infiltration
    Švec Pavol ; J280 
    PRO-TECH-MA 2010 : . s.120-125
    infiltration parameters silicon carbide
    článok zo zborníka
    AFC - Reports at international scientific conferences
    V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka
    article

    article

  10. Štúdium štruktúry pórovitých grafitických materiálov infiltrovaných kremíkom
    Švec Pavol ; J280 
    Mechanical Engineering 2008 : . s.CD-Rom
    pórovité materiály grafitické materiály silicon carbide graphite
    článok zo zborníka
    AFD - Reports at home scientific conferences
    V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka
    article

    article



  This site uses cookies to make them easier to browse. Learn more about how we use cookies.