Výsledky vyhľadávania

Nájdených záznamov: 7  
Váš dotaz: Autor-kód záznamu = "^stu_us_auth 0006627^"

  1. 1.Electrically Active Defects in Power SiC-MOSFET Before and After Applied Electrical Stress

    Electrically Active Defects in Power SiC-MOSFET Before and After Applied Electrical Stress / aut. Viktor Malík, Matej Matuš, Aleš Chvála, Juraj Marek, Vincenzo Vinciguerra, Angelo Alberto Messina ; zost. Ľubica Stuchlíková
    Málik Viktor ; 030000  Matuš Matej ; 033000 Chvála Aleš ; 033000 Marek Juraj ; 033000 Vinciguerra Vincenzo Messina Angelo Alberto Stuchlíková Ľubica ; 033000
    ADEPT 2023 : . S. 169-172
    defects SiC MOSFET Deep-Level Transient Spectroscopy
    článok zo zborníka
    AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
    V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka
    článok

    článok

  2. 2.3D Thermal Simulation of GaAs-Based HEMT on Foreign Substrates

    3D Thermal Simulation of GaAs-Based HEMT on Foreign Substrates / aut. Aleš Chvála, Jaroslav jr Kováč, Dagmar Gregušová, Milan Ťapajna, Filip Gucmann, Juraj Marek, Martin Florovič
    Chvála Aleš ; 033000  Kováč Jaroslav jr. ; 033000 Gregušová Dagmar Ťapajna Milan Gucmann Filip Marek Juraj ; 033000 Florovič Martin ; 033000
    MicDAT 2023 : . S. 20-23
    High electron mobility transistor GaAs nanomembranes Epitaxial lift-off technique 3D thermal simulation GaAs Al2O3 Si SiC diamond substrates
    článok zo zborníka
    AFC - Publikované príspevky na zahraničných vedeckých konferenciách
    V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka
    článok

    článok

  3. 3.Determination of on chip temperature distribution of devices under operation by using Raman microscopy

    Determination of on chip temperature distribution of devices under operation by using Raman microscopy / aut. Jaroslav jr Kováč, Robert Szobolovszký, Martin Florovič, Jaroslav Kováč, Aleš Chvála, Tomáš Vincze
    Kováč Jaroslav jr. ; 033000  Szobolovszký Robert ; 033000 Florovič Martin ; 033000 Kováč Jaroslav ; 033000 Chvála Aleš ; 033000 Vincze Tomáš ; 030000
    ADEPT 2019 : . S. 289-292
    GaN HEMT SiC temperature Raman microscopy
    článok zo zborníka
    AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
    V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka
    článok

    článok

  4. 4.Determination of on chip temperature distribution of devices for power and microwave applications under operation

    Determination of on chip temperature distribution of devices for power and microwave applications under operation / aut. Jaroslav jr Kováč, Robert Szobolovszký, Martin Florovič, Jaroslav Kováč, Aleš Chvála
    Kováč Jaroslav jr. ; 033000  Szobolovszký Robert ; 033000 Florovič Martin ; 033000 Kováč Jaroslav ; 033000 Chvála Aleš ; 033000
    OK 18 : . [4] s.
    GaN HEMT SiC temperature
    článok zo zborníka
    AFC - Publikované príspevky na zahraničných vedeckých konferenciách
    V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka
    článok

    článok

  5. 5.Size effect of the silicon carbide Young's modulus

    Size effect of the silicon carbide Young's modulus / aut. Bernd Hähnlein, Jaroslav jr Kováč, Jörg Pezoldt
    Hähnlein Bernd  Kováč Jaroslav jr. ; 033000 Pezoldt Jörg
    Physica Status Solidi (A)-Applications and Materials Science . Vol. 214, Iss. 4 (2017), Art. no 1600390 [9] s.
    microelectromechnical systems SiC size effect Young´s modulus
    http://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/pssa.201600390/full
    článok z periodika
    ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch
    V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    článok

    článok

  6. 6.Detection of fast neutrons from D-T nuclear reaction using a 4H-SiC radiation detector

    Detection of fast neutrons from D-T nuclear reaction using a 4H-SiC radiation detector / aut. Bohumír Zaťko, Andrea Šagátová, Katarína Sedlačková, Vladimír Nečas, František Dubecký, Michael Solar, Carlos Granja
    Zaťko Bohumír  Šagátová Andrea ; 036000 Sedlačková Katarína ; 036000 Nečas Vladimír ; 036000 Dubecký František Solar Michael Granja Carlos
    International Journal of Modern Physics: Conference Series . Vol. 44 : International conference on applications of nuclear techniques (Crete15), (2016), Art. no. 1660235 [8] s.
    solid-state detectors fast neutrons SiC
    článok z periodika
    AFC - Publikované príspevky na zahraničných vedeckých konferenciách
    V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    článok

    článok

  7. 7.HWCVD technology of silicon carbide thin films: Properties

    HWCVD technology of silicon carbide thin films: Properties / aut. Jozef Huran, Miroslav Mikolášek, Pavol Boháček, Angela Kleinová, Vlasta Sasinková, Alexander P Kobzev, Mária Sekáčová, J Arbet
    Huran Jozef  Mikolášek Miroslav ; 033000 Boháček Pavol Kleinová Angela Sasinková Vlasta Kobzev Alexander P. Sekáčová Mária Arbet J.
    ADEPT 2015 : . S. 104-107
    SiC HWCVD structural and electrical characterization solar structure
    článok zo zborníka
    AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
    V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka
    článok

    článok



  Tieto stránky využívajú súbory cookies, ktoré uľahčujú ich prezeranie. Ďalšie informácie o tom ako používame cookies.

Prijať všetkoNastavenieOdmietnuť všetko