DLTS study of InGaAs and GaAsN structures with different indium and nitrogen compositions / aut. Arpád Kósa, Ľubica Stuchlíková, Ladislav Harmatha, Jaroslav Kováč, Beata Sciana, Wojciech Dawidowski, Marek Tlaczala
Kósa Arpád ; 033000  Stuchlíková Ľubica ; 033000 Harmatha Ladislav ; 033000 Kováč Jaroslav ; 033000 Sciana Beata Dawidowski Wojciech Tlaczala Marek
Materials Science in Semiconductor Processing . Vol. 74, (2018), s. 313-318
semiconductor structure composition deep energy level Deep Level Transient Spectroscopy InGaAs GaAsN AP-MOVPE
https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S1369800117310685
článok z periodika
ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch
V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu