Výsledky vyhľadávania
- 3D Thermal Simulation of GaAs-Based HEMT on Foreign Substrates / aut. Aleš Chvála, Jaroslav jr Kováč, Dagmar Gregušová, Milan Ťapajna, Filip Gucmann, Juraj Marek, Martin Florovič
Chvála Aleš ; 033000 Kováč Jaroslav jr. ; 033000 Gregušová Dagmar Ťapajna Milan Gucmann Filip Marek Juraj ; 033000 Florovič Martin ; 033000
MicDAT 2023 : . S. 20-23
High electron mobility transistor GaAs nanomembranes Epitaxial lift-off technique 3D thermal simulation GaAs Al2O3 Si SiC diamond substrates
článok zo zborníka
AFC - Publikované príspevky na zahraničných vedeckých konferenciách
V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka
článok
- Models for the self-heating evaluation of a gallium nitride-based high electron mobility transistor / aut. Martin Florovič, Jaroslav jr Kováč, Jaroslav Kováč, Aleš Chvála, Martin Weis, Jean-Claude Jacquet, Sylvain Laurent Delage
Florovič Martin ; 033000 Kováč Jaroslav jr. ; 033000 Kováč Jaroslav ; 033000 Chvála Aleš ; 033000 Weis Martin ; 033000 Jacquet Jean-Claude Delage Sylvain Laurent
Semiconductor Science and Technology . Vol. 36, No. 2 (2021), Art. no. 025019 [9] s.
Gallium Nitride field-effect transistor High electron mobility transistor average temperature thermal resistance
článok z periodika
ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch
V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisučlánok
- Identification of electrically active defects in modern structures based on gallium nitride / aut. Jakub Drobný, Arpád Kósa, Martin Weis, Jaroslav jr Kováč, Ľubica Stuchlíková
Drobný Jakub ; 033000 Kósa Arpád ; 033000 Weis Martin ; 033000 Kováč Jaroslav jr. ; 033000 Stuchlíková Ľubica ; 033000
Mathematics, Information Technologies and Applied Sciences 2019 : . S. 50-58
Gallium Nitride High electron mobility transistor defect characterisation in semiconductors high frequency and high-power structures
článok zo zborníka
AFC - Publikované príspevky na zahraničných vedeckých konferenciách
V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníkačlánok
- Study on electronic properties of diamond/SiNx-coated AlGaN/GaN high electron mobility transistors operating up to 500 °C / aut. Oleg Babchenko, Gabriel Vanko, Michal Gerboc, Tibor Ižák, Marian Vojs, Tibor Lalinský, Alexander Kromka
Babchenko Oleg Vanko Gabriel Gerboc Michal Ižák Tibor Vojs Marian ; 033000 Lalinský Tibor Kromka Alexander
Diamond and Related Materials : . Vol. 89, (2018), s. 266-272
AlGaN/GaN heterostructure diamond film High electron mobility transistor hybrid drive High temperature operation electronic properties
https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0925963518303996
článok z periodika
ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch
V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisučlánok