Výsledky vyhľadávania
- Deep Level Transient Spectroscopy study of InAlGaN/GaN HEMT structures / aut. Matej Matuš, Jakub Drobný, Peter Benc, Martin Florovič, Sylvain Laurent Delage, Ľubica Stuchlíková
Matuš Matej ; 033000 Drobný Jakub Benc Peter Florovič Martin ; 033000 Delage Sylvain Laurent Stuchlíková Ľubica ; 033000
ADEPT 2023 : . S. 103-106
GaN HEMT defects Deep Level Transient Spectroscopy
článok zo zborníka
AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka
článok
- Electrical characterisation of progressive structures based on GaN / aut. Matej Matuš, Ľubica Stuchlíková
Matuš Matej ; 033000 Stuchlíková Ľubica ; 033000
ELITECH´23 : . [8] s.
GaN I-V C-V DLTFS DLTFS-O
článok zo zborníka
AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníkačlánok
- Automatic detection and counting of defects from cathodoluminescence maps of GaN layers / aut. Juraj Priesol, David Gellen, Alexander Šatka
Priesol Juraj ; 033000 Gellen David ; 030000 Šatka Alexander ; 033000
MECO 2023 : . [4] s.
object detection object counting 2D FFT segmentation CLAHE watershed Cathodoluminescence GaN quality assessment reliability
https://ieeexplore.ieee.org/document/10155031
článok zo zborníka
AFC - Publikované príspevky na zahraničných vedeckých konferenciách
V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníkačlánok
- Vertical GaN transistor with semi-insulating channel / aut. Peter Šichman, Roman Stoklas, Stanislav Hasenöhrl, Dagmar Gregušová, Milan Ťapajna, Boris Hudec, Štefan Haščík, Tamotsu Hashizume, Aleš Chvála, Alexander Šatka, Ján Kuzmík
Šichman Peter Stoklas Roman Hasenöhrl Stanislav Gregušová Dagmar Ťapajna Milan Hudec Boris Haščík Štefan Hashizume Tamotsu Chvála Aleš ; 033000 Šatka Alexander ; 033000 Kuzmík Ján
Physica Status Solidi (A)-Applications and Materials Science . Vol. 220, Iss. 16 (2023), Art. no. 2200776 [6] s.
C doping GaN Semi-insulating vertical transistors
https://onlinelibrary.wiley.com/doi/full/10.1002/pssa.202200776
článok z periodika
ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch
V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisučlánok
- Investigation of electrically active defects in quasi-vertical GaN devices for high power applications / aut. Matej Matuš, Juraj Marek, Jakub Drobný, Karen Geens, Matteo Borga, Hu Liang, Stefaan Decoutere, Herwig Hahn, M Heuken, Ľubica Stuchlíková
Matuš Matej ; 030000 Marek Juraj ; 033000 Drobný Jakub ; 033000 Geens Karen Borga Matteo Liang Hu Decoutere Stefaan Hahn Herwig Heuken M. Stuchlíková Ľubica ; 033000
ADEPT 2022 : . S. 63-66
quasi-vertical MOSFET GaN electrically active defects DLTFS
článok zo zborníka
AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníkačlánok
- HEMT average temperature determination utilizing low-power device operation / aut. Martin Florovič, Jaroslav jr Kováč, Aleš Chvála, Jaroslav Kováč, Jean-Claude Jacquet, Sylvain Laurent Delage
Florovič Martin ; 033000 Kováč Jaroslav jr. ; 033000 Chvála Aleš ; 033000 Kováč Jaroslav ; 033000 Jacquet Jean-Claude Delage Sylvain Laurent
IEEE Transactions on Electron Devices . Vol. 69, No. 10 (2022), s. 5484-5489
AlGaN average channel temperature charge trapping FET GaN HEMT
https://ieeexplore.ieee.org/document/9875358
článok z periodika
ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch
V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisučlánok
- Influence of SiON interlayer on the diamond/GaN heterostructures studied by Raman and SIMS measurements / aut. Tibor Izsák, Gabriel Vanko, Oleg Babčenko, Andrej Vincze, Marian Vojs, Bohumír Zaťko, Alexander Kromka
Izsák Tibor Vanko Gabriel Babčenko Oleg Vincze Andrej Vojs Marian ; 033000 Zaťko Bohumír Kromka Alexander
Materials Science and Engineering B : . Vol. 273, (2021), Art. no. 115434 [6] s.
polycrystalline diamond GaN Raman spectroscopy stress SIMS
https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0921510721003913#!
článok z periodika
ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch
V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisučlánok
- Study of semi-vertical GaN-on-Si FETs by DLTFS with optical excitation / aut. Jakub Drobný, Miloš Matúš, Juraj Marek, Aleš Chvála, Karen Geens, Matteo Borga, Hu Liang, Shuzhen You, Stefaan Decoutere, Ľubica Stuchlíková
Drobný Jakub ; 033000 Matuš Matej ; 030000 Marek Juraj ; 033000 Chvála Aleš ; 033000 Geens Karen Borga Matteo Liang Hu You Shuzhen Decoutere Stefaan Stuchlíková Ľubica ; 033000
ADEPT 2021 : . S. 183-186
Trench MOSFET GaN DLTFS emission and capture processes
článok zo zborníka
AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníkačlánok
- Theoretical and experimental substractions of device temperature determination utilizing I-V characterization applied on AlGaN/GaN HEMT / aut. Martin Florovič, Jaroslav jr Kováč, Aleš Chvála, Jaroslav Kováč, Jean-Claude Jacquet, Sylvain Laurent Delage
Florovič Martin ; 033000 Kováč Jaroslav jr. ; 033000 Chvála Aleš ; 033000 Kováč Jaroslav ; 033000 Jacquet Jean-Claude Delage Sylvain Laurent
Electronics . Vol. 10, iss. 22 (2021), Art. no. 2738 [12] s.
AlGaN FET GaN HEMT thermal current temperature profile average temperature
https://www.mdpi.com/2079-9292/10/22/2738
článok z periodika
ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch
V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisučlánok
- Channel temperature determination of HEMT in quasi-static operation / aut. Martin Florovič, Jaroslav jr Kováč, Jaroslav Kováč, Aleš Chvála, Jean-Claude Jacquet, Sylvain Laurent Delage
Florovič Martin ; 033000 Kováč Jaroslav jr. ; 033000 Kováč Jaroslav ; 033000 Chvála Aleš ; 033000 Jacquet Jean-Claude Delage Sylvain Laurent
ADEPT 2021 : . S. 75-78
HEMT GaN I-V characteristics conductance channel temperature
článok z periodika
AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníkačlánok