Degradation of power SiC MOSFET under repetitive UIS and short circuit stress / aut. Juraj Marek, Jozef Kozárik, Aleš Chvála, Michal Minárik, Ľubica Stuchlíková
Marek Juraj ; 033000  Kozárik Jozef ; 033000 Chvála Aleš ; 033000 Minárik Michal ; 033000 Stuchlíková Ľubica ; 033000
ISPS '21 : . S. 70-75
reliability degradation SiC MOSFET TrenchMOSFET repetitive unclamped inductive switching repetitive short circuit
článok zo zborníka
AFC - Reports at international scientific conferences
V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka