Number of the records: 1
Simulation analysis of InAlN/GaN monolithic NAND logic cell
Title statement Simulation analysis of InAlN/GaN monolithic NAND logic cell / aut. Aleš Chvála, Lukáš Nagy, Juraj Marek, Juraj Priesol, Daniel Donoval, Martin Vilhan, Michal Blaho, Dagmar Gregušová, Ján Kuzmík, Alexander Šatka Main entry-name Chvála, Aleš, 1981- (Author) - FEI Ústav elektroniky a fotoniky Another responsib. Nagy, Lukáš, 1985- Z2 (Author) - FEI Ústav elektroniky a fotoniky Marek, Juraj, 1983- Z2 (Author) - FEI Ústav elektroniky a fotoniky Priesol, Juraj, 1986- Z2 (Author) - FEI Ústav elektroniky a fotoniky Donoval, Daniel, 1953- Z1 (Author) - FEI Ústav elektroniky a fotoniky Vilhan, Martin, 1994- Z3 (Author) - FEI Ústav elektrotechniky Blaho, Michal, 1982- (Author) Gregušová, Dagmar (Author) Kuzmík, Ján (Author) Šatka, Alexander, 1960- Z1 (Author) - FEI Ústav elektroniky a fotoniky In ASDAM 2018 [234 s.] / International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems (ASDAM 2018). -- Danvers : IEEE, 2018. -- ISBN 978-1-5386-7488-8. -- S. 167-170 Language English URL https://ieeexplore.ieee.org/document/8544508 Document kind RZB - článok zo zborníka Category AFD - Reports at home scientific conferences Category (from 2022) V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka WOS: 000468753600037
SCOPUS: 2-s2.0-85059983979Year 2018 article
Number of the records: 1