Number of the records: 1
Power SiC MOSFET under repetitive UIS and short circuit stress
Title statement Power SiC MOSFET under repetitive UIS and short circuit stress / aut. Juraj Marek, Jozef Kozárik, Aleš Chvála, Michal Minárik, Martin Donoval Main entry-name Marek, Juraj, 1983- (Author) - FEI Ústav elektroniky a fotoniky Another responsib. Kozárik, Jozef, 1993- Z2 (Author) - FEI Ústav elektroniky a fotoniky Chvála, Aleš, 1981- Z2 (Author) - FEI Ústav elektroniky a fotoniky Minárik, Michal, 1995- Z3 (Author) - FEI Ústav elektroniky a fotoniky Donoval, Martin, 1983- Z7 (Author) - FEI Stredisko pre projekty a spoluprácu s praxou In ADEPT 2021 [261 s.] / International conference on Advances in Electronic and Photonic Technologies (Adept 2021). -- Žilina : Vydavateľstvo EDIS, 2021. -- ISBN 978-80-554-1806-3. -- S. 67-70 Subj. Headings reliability degradation SiC MOSFET TrenchMOSFET repetitive UIS repetitive short circuit Language English Document kind RBX - článok z periodika Category AFD - Reports at home scientific conferences Category (from 2022) V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka Year 2021 
article
Number of the records: 1