Number of the records: 1
Investigation of the material properties of thin epitaxial Ga2O3 films grown by liquid-injection MOCVD on (111) Si with AlN buffer
Title statement Investigation of the material properties of thin epitaxial Ga2O3 films grown by liquid-injection MOCVD on (111) Si with AlN buffer / aut. Miriam Krettová, Kristína Hušeková, Mateusz Wosko, Edmund Dobročka, Zdenko Zápražný, Iryna Kozak, Hemendra Chouhan, Fridrich Egyenes, Ondrej Pohorelec, Milan Ťapajna, Regina Paszkiewicz, Filip Gucmann Main entry-name Krettová, Miriam, 1997- (Author) - FEI Ústav elektroniky a fotoniky Another responsib. Hušeková, Kristína (Author) Wosko, Mateusz (Author) Dobročka, Edmund, 1955- Z5 (Author) Zápražný, Zdenko, 1980- (Author) Kozak, Iryna (Author) Chouhan, Hemendra, 1992- Z3 (Author) - FEI Ústav elektroniky a fotoniky Egyenes, Fridrich (Author) Pohorelec, Ondrej, 1995- (Author) Ťapajna, Milan, 1977- (Author) Paszkiewicz, Regina (Author) Gucmann, Filip, 1987- (Author) In ELITECH´25 [CD ROM, 208 s.] / Kozáková, Alena. -- Bratislava : Vydavateľstvo Spektrum STU, 2025. -- ISBN 978-80-227-5492-7. -- [5] s. Subj. Headings Ga2O3 MOCVD AlN Si heteroepitaxy Language English Document kind RZB - článok zo zborníka Category AFD - Reports at home scientific conferences Category (from 2022) V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka Type of document príspevok z podujatia Year 2025 
article
Number of the records: 1