Number of the records: 1
Heteroepitaxial growth of gallium oxide on silicon using liquid-injection MOCVD
Title statement Heteroepitaxial growth of gallium oxide on silicon using liquid-injection MOCVD / aut. Miriam Krettová, Kristína Hušeková, M Wosko, Edmund Dobročka, Zdenko Zápražný, Iryna Kozak, Hemendra Chouhan, Fridrich Egyenes, Ondrej Pohorelec, Milan Ťapajna, R Paszkiewicz, Filip Gucmann Main entry-name Krettová, Miriam, 1997- (Author) - FEI Ústav elektroniky a fotoniky Another responsib. Hušeková, Kristína (Author) Wosko, M. (Author) Dobročka, Edmund, 1955- Z5 (Author) Zápražný, Zdenko, 1980- (Author) Kozak, Iryna (Author) Chouhan, Hemendra, 1992- Z3 (Author) - FEI Ústav elektroniky a fotoniky Egyenes, Fridrich (Author) Pohorelec, Ondrej, 1995- (Author) Ťapajna, Milan, 1977- (Author) Paszkiewicz, R. (Author) Gucmann, Filip, 1987- (Author) In ADEPT 2025 [257 s.] / International conference on Advances in Electronic and Photonic Technologies (ADEPT 2025). -- Žilina : Vydavateľstvo EDIS, 2025. -- ISBN 978-80-554-2208-4. -- S. 111-114 Subj. Headings Ga2O3 MOCVD AlN Si heteroepitaxy Language English Document kind RZB - článok zo zborníka Category AFD - Reports at home scientific conferences Category (from 2022) V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka Type of document príspevok z podujatia Year 2025 
article
Number of the records: 1