DLTFS study of power GaN HEMTs before and after applied electrical stress

Number of the records: 1

Title statement	DLTFS study of power GaN HEMTs before and after applied electrical stress / aut. Matej Matuš, Jozef Kozárik, Michal Minárik, Juraj Marek, Ľubica Stuchlíková
Main entry-name	Matuš, Matej, 1997- (Author) - FEI Ústav elektroniky a fotoniky
Another responsib.	Kozárik, Jozef, 1993- Z2 (Author) - FEI Ústav elektroniky a fotoniky
	Minárik, Michal, 1995- Z8 (Author) - FEI Ústav elektroniky a fotoniky
	Marek, Juraj, 1983- Z1 (Author) - FEI Ústav elektroniky a fotoniky
	Stuchlíková, Ľubica, 1967- Z1 (Author) - FEI Ústav elektroniky a fotoniky
In	ADEPT 2025 [257 s.] / International conference on Advances in Electronic and Photonic Technologies (ADEPT 2025). -- Žilina : Vydavateľstvo EDIS, 2025. -- ISBN 978-80-554-2208-4. -- S. 201-204
Subj. Headings	e-mode GaN HEMT
	electrical stress
	DLTFS
	nitrogen point defects
Language	English
Document kind	RZB - článok zo zborníka
Category	AFD - Reports at home scientific conferences
Category (from 2022)	V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka
Type of document	príspevok z podujatia
Year	2025

article

citace PRO

Number of the records: 1