Number of the records: 1
The effect of hydrogen on electrical properties of depletion-mode MOSFETs fabricated from β-Ga2O3 on 4H-SiC substrates
Title statement The effect of hydrogen on electrical properties of depletion-mode MOSFETs fabricated from β-Ga2O3 on 4H-SiC substrates / aut. Fedor Hrubišák, Milan Ťapajna, Ondrej Pohorelec, Fridrich Egyenes, Edmund Dobročka, Kristína Hušeková, Karol Kálna, Tibor Izsák, Ján Fedor, Filip Gucmann Main entry-name Hrubišák, Fedor, 1997- (Author) - FEI Ústav elektroniky a fotoniky Another responsib. Ťapajna, Milan, 1977- (Author) Pohorelec, Ondrej, 1995- (Author) Egyenes, Fridrich (Author) Dobročka, Edmund, 1955- Z5 (Author) Hušeková, Kristína (Author) Kálna, Karol (Author) Izsák, Tibor Z5 (Author) Fedor, Ján (Author) Gucmann, Filip, 1987- (Author) Translated title Efekt vodíka na elektrické vlastnosti d-mód MOSFET-ov vyrobených z β-Ga2O3 na 4H-SiC In UWO 2025 / Ultra-wide bandgap oxide semiconductors (UWO 2025). -- London : IOP, 2025. -- [1] s. Language English Document kind RZB - článok zo zborníka Category BEE - Scientific works in not noticed year-books from international undertakings, foreign year-books Category (from 2022) O2 - Odborný výstup publikačnej činnosti ako časť knižnej publikácie alebo zborníka Type of document príspevok z podujatia Year 2025 
article
Number of the records: 1