Number of the records: 1  

The Influence of Etched Trenches around Contacts of SI GaAs Strip Radiation Detector on Its Properties

  1. Title statementThe Influence of Etched Trenches around Contacts of SI GaAs Strip Radiation Detector on Its Properties
    Main entry-name Perďochová, Andrea, 1977- (Author) - FEI Katedra jadrovej fyziky a techniky
    Another responsib. Ly Anh, Tu (Author) - FEI Katedra jadrovej fyziky a techniky
    Nečas, Vladimír, 1954- (Author) - FEI Ústav jadrového a fyzikálneho inžinierstva
    Dubecký, František (Author)
    Pavlicová, Vieroslava, 1950- (Author) - FEI Inštitút komunikácie a aplikovanej lingvistiky
    Translated titleVplyv leptania rámikov okolo kontaktov na stripových radiačných detektoroch na báze SI GaAs
    In APCOM 2004. Applied Physics of Condensed Matter : Proceedings of the 10th International Workshop. Častá - Píla, Slovak Republic. 16.- 18. June 2004 /. -- 2004 : STU v Bratislave FEI, 2004. -- ISBN 80-227-2073-9. -- s.191-194
    LanguageEnglish
    Document kindRZB - článok zo zborníka
    CategoryAFD - Reports at home scientific conferences
    Category (from 2022)V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka
    article

    article

Number of the records: 1  

  This site uses cookies to make them easier to browse. Learn more about how we use cookies.