Number of the records: 1  

Epitaxný rast GaAs a LT GaAs vrstiev z molekulárnych zväzkov a charakterizácia ich vlastností

  1. Title statementEpitaxný rast GaAs a LT GaAs vrstiev z molekulárnych zväzkov a charakterizácia ich vlastností : Č.ved.odb. 26-13-9. Obh. 06.06.2006
    Main entry-name Vincze, Andrej, 1975- (Author) - FEI Ústav elektroniky a fotoniky
    Another responsib. Kováč, Jaroslav, 1947- (Thesis advisor) - FEI Ústav elektroniky a fotoniky
    Issue dataBratislava : STU v Bratislave FEI, 2006
    Phys.des.148 s
    Subj. Headings elektronika
    polovodičové štruktúry
    heteroštruktúry
    fyzika polovodičov
    epitaxia
    kvantové drôty
    príprava tenkých vrstiev
    GaAs
    UDC538.975
    539.23
    621.315.592
    LanguageSlovak
    Document kindDDZ - dizertačná práca
    CategoryDAI - Qualificational works (thesis, habilitation, atestation...)
    book

    book

    BarcodeCall number of locationCall numberLocationSublocationInfo
    284ED01131E*PGŠ-935Fakulta elektrotechniky a informatikyKnižnica FEI

Number of the records: 1  

  This site uses cookies to make them easier to browse. Learn more about how we use cookies.