Number of the records: 1
Electrical Properties of Ru/HfO2/SiO2/Si(n) MOS Structure
Title statement Electrical Properties of Ru/HfO2/SiO2/Si(n) MOS Structure Main entry-name Valent, Peter, 1979- (Author) - FEI Katedra mikroelektroniky Another responsib. Racko, Juraj, 1953- (Author) - FEI Ústav elektroniky a fotoniky Pinteš, Peter, 1979- (Author) - FEI Katedra mikroelektroniky Donoval, Daniel, 1953- (Author) - FEI Ústav elektroniky a fotoniky Breza, Juraj, 1951- (Author) - FEI Ústav elektroniky a fotoniky Benko, Peter, 1981- (Author) - FEI Ústav elektroniky a fotoniky Harmatha, Ladislav, 1948- (Author) - FEI Ústav elektroniky a fotoniky In APCOM 2007. Applied Physics of Condensed Matter : Proceedings of the 13th International Workshop. Bystrá, Slovak Republic, 27.-29.6.2007 /. -- Žilina : University of Žilina, 2007. -- ISBN 978-80-8070-709-5. -- s.165-170 Language English Document kind RZB - článok zo zborníka Category AFD - Reports at home scientific conferences Category (from 2022) V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka Year 2007 
article
Number of the records: 1