Number of the records: 1
Structural characterization of twinning in β-Ga2O3 filament inclusions on Ga2O3 thin films epitaxially grown on sapphire substrates by MOCVD
SYS 0116154 LBL 00000naa--22^^^^^-a-4500 003 SK-STU 005 20250715132023.4 007 ta 008 250624s^^^^-----------e------000-0-----d 040 $a STU $b slo 041 0-
$a eng 100 1-
$7 stu_us_auth*0128520 $a Chidambaram, Roshan Jeevan $u 036000 $4 aut $r Z3 $9 25 $U FEI Fakulta elektrotechniky a informatiky $T FEI Ústav jadrového a fyzikálneho inžinierstva $X 137757 $U E060 $Y 817 245 10
$a Structural characterization of twinning in β-Ga2O3 filament inclusions on Ga2O3 thin films epitaxially grown on sapphire substrates by MOCVD / $c aut. Roshan Jeevan Chidambaram, Alica Rosová, Edmund Dobročka, Kristína Hušeková, Milan Ťapajna, Filip Gucmann 650 04
$7 stu_us_auth*0108689 $a Gallium oxide 650 04
$7 stu_us_auth*0035753 $a Epitaxy 650 04
$7 stu_us_auth*0128523 $a twinning 650 04
$7 stu_us_auth*0128524 $a m-plane sapphire 700 1-
$7 stu_us_auth*stu68481 $a Rosová, Alica $4 aut $9 25 700 1-
$7 stu_us_auth*stu56407 $a Dobročka, Edmund, $d 1955- $r Z5 $4 aut $9 12,5 $X 2565 700 1-
$7 stu_us_auth*stu58269 $a Hušeková, Kristína $4 aut $9 12,5 700 1-
$7 stu_us_auth*stu45748 $a Ťapajna, Milan, $d 1977- $4 aut $9 12,5 $X 47721 700 1-
$7 stu_us_auth*stu108658 $a Gucmann, Filip, $d 1987- $4 aut $9 12,5 $X 36031 773 0-
$w stu_us_cat*0116049 $a Kozáková, Alena $t ELITECH´25 $b 1. vyd. $h CD ROM, 208 s. $z 978-80-227-5492-7 $7 p1am $d Bratislava : Vydavateľstvo Spektrum STU, 2025 $g [5] s.
Number of the records: 1