Structural characterization of twinning in β-Ga2O3 filament inclusions on Ga2O3 thin films epitaxially grown on sapphire substrates by MOCVD / aut. Roshan Jeevan Chidambaram, Alica Rosová, Edmund Dobročka, Kristína Hušeková, Milan Ťapajna, Filip Gucmann
Chidambaram Roshan Jeevan ; 036000  Rosová Alica Dobročka Edmund Hušeková Kristína Ťapajna Milan Gucmann Filip
ELITECH´25 : . [5] s.
Gallium oxide Epitaxy twinning m-plane sapphire
článok zo zborníka
AFD - Reports at home scientific conferences
V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka