Title information : Preparation and Properties of MOSHFETs Based on MOVPE Grown AlGaN/GaN Heterostructure and MOCVD Deposited Al2O3 Gate Oxide Variant heading : \q12*stu_us_auth*1 stu58958 \q \q1013 stu_us_auth*stu58958 \d Gregušová Dagmar \q  %continue : \q12*stu_us_auth*1 stu65020 \q \q1013 stu_us_auth*stu65020 \d Stoklas Roman \q \q12*stu_us_auth*1 stu58894 \q \q1013 stu_us_auth*stu58894 \d Čičo Karol \q \q12*stu_us_auth*1 stu83001 \q \q1013 stu_us_auth*stu83001 \d Lalinský Tibor \q \q12*stu_us_auth*1 stu50032 \q \q1013 stu_us_auth*stu50032 \d Fröhlich Karol \q \q12*stu_us_auth*1 stu68763 \q \q1013 stu_us_auth*stu68763 \d Novák J. \q \q12*stu_us_auth*1 stu58281 \q \q1013 stu_us_auth*stu58281 \d Kordoš Pavol \q In : \q12**1 stu149217 \q %continue : EW-MOVPE. 12th European Workshop on Metalorganic Vapour Phase Epitaxy : %continue : . s.85-88 Document kind : článok zo zborníka