Title information : Device and circuit models of InAlN/GaN D- and Dual-Gate E-Mode HEMTs for design and characterisation of monolithic NAND logic cell / aut. Aleš Chvála, Lukáš Nagy, Juraj Priesol, Daniel Donoval, Alexander Šatka, Michal Blaho, Dagmar Gregušová, Ján Kuzmík Variant heading : \q12*stu_us_auth*1 stu57774 \q \q1013 stu_us_auth*stu57774 \d Chvála Aleš \q ; 033000  %continue : \q12*stu_us_auth*1 stu83870 \q \q1013 stu_us_auth*stu83870 \d Nagy Lukáš \q ; 033000 \q12*stu_us_auth*1 stu65038 \q \q1013 stu_us_auth*stu65038 \d Marek Juraj \q ; 033000 \q12*stu_us_auth*1 stu80446 \q \q1013 stu_us_auth*stu80446 \d Priesol Juraj \q ; 033000 \q12*stu_us_auth*1 stu3815 \q \q1013 stu_us_auth*stu3815 \d Donoval Daniel \q ; 033000 \q12*stu_us_auth*1 stu9834 \q \q1013 stu_us_auth*stu9834 \d Šatka Alexander \q ; 033000 \q12*stu_us_auth*1 stu58856 \q \q1013 stu_us_auth*stu58856 \d Blaho Michal \q \q12*stu_us_auth*1 stu58958 \q \q1013 stu_us_auth*stu58958 \d Gregušová Dagmar \q \q12*stu_us_auth*1 stu70421 \q \q1013 stu_us_auth*stu70421 \d Kuzmík Ján \q In : \q12**1 0032386 \q %continue : DTIS 2018 : %continue : . USB, [6] s. Subject : \q12*stu_us_auth*1 0023873 \q \q1013 stu_us_auth*0023873 \d monolithic integration \q \q12*stu_us_auth*1 0023874 \q \q1013 stu_us_auth*0023874 \d NAND logic cell \q \q12*stu_us_auth*1 0013131 \q \q1013 stu_us_auth*0013131 \d InAlN/GaN HEMT \q \q12*stu_us_auth*1 0032199 \q \q1013 stu_us_auth*0032199 \d 2D device modeling and simulation \q \q12*stu_us_auth*1 0032200 \q \q1013 stu_us_auth*0032200 \d HEMT circuit model \q Document kind : článok zo zborníka Category : AFC - Reports at international scientific conferences Category (from 2022) : V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka