1. Charakterizácia a vlastnosti štruktúr typu MIS-HFET na báze GaN
Title information : Charakterizácia a vlastnosti štruktúr typu MIS-HFET na báze GaN : č. ved. odb. 26-13-9, obhaj. 11.6.2008
Variant heading : \q12*stu_us_auth*1 stu65020 \q \q1013 stu_us_auth*stu65020 \d Stoklas Roman \q
%continue : \q12*stu_us_auth*1 stu58958 \q \q1013 stu_us_auth*stu58958 \d Gregušová Dagmar \q (Thesis advisor)
Issue data : Bratislava : Elektrotechnický ústav SAV, 2008
%continue : . - 114 s
Subject : \q12*stu_us_auth*1 stus23 \q \q1013 stu_us_auth*stus23 \d elektronika \q \q12*stu_us_auth*1 stus47572 \q \q1013 stu_us_auth*stus47572 \d Mikroelektronika \q
Document kind : dizertačná práca
Category : DAI - Qualificational works (thesis, habilitation, atestation...)