Title information : Semi-insulating GaN for vertical structures: role of substrate selection and growth pressure / aut. Peter Šichman, Stanislav Hasenöhrl, Roman Stoklas, Juraj Priesol, Edmund Dobročka, Štefan Haščík, Filip Gucmann, Andrej Vincze, Aleš Chvála, Juraj Marek, Alexander Šatka, Ján Kuzmík Variant heading : \q12*stu_us_auth*1 0047250 \q \q1013 stu_us_auth*0047250 \d Šichman Peter \q  %continue : \q12*stu_us_auth*1 stu39769 \q \q1013 stu_us_auth*stu39769 \d Hasenöhrl Stanislav \q \q12*stu_us_auth*1 stu65020 \q \q1013 stu_us_auth*stu65020 \d Stoklas Roman \q \q12*stu_us_auth*1 stu80446 \q \q1013 stu_us_auth*stu80446 \d Priesol Juraj \q ; 033000 \q12*stu_us_auth*1 stu56407 \q \q1013 stu_us_auth*stu56407 \d Dobročka Edmund \q \q12*stu_us_auth*1 stu58307 \q \q1013 stu_us_auth*stu58307 \d Haščík Štefan \q \q12*stu_us_auth*1 stu108658 \q \q1013 stu_us_auth*stu108658 \d Gucmann Filip \q \q12*stu_us_auth*1 stu34909 \q \q1013 stu_us_auth*stu34909 \d Vincze Andrej \q \q12*stu_us_auth*1 stu57774 \q \q1013 stu_us_auth*stu57774 \d Chvála Aleš \q ; 033000 \q12*stu_us_auth*1 stu65038 \q \q1013 stu_us_auth*stu65038 \d Marek Juraj \q ; 033000 \q12*stu_us_auth*1 stu9834 \q \q1013 stu_us_auth*stu9834 \d Šatka Alexander \q ; 033000 \q12*stu_us_auth*1 stu70421 \q \q1013 stu_us_auth*stu70421 \d Kuzmík Ján \q In : \q12**1 0081934 \q %continue : Materials Science in Semiconductor Processing %continue : . Vol. 118, (2020), Art. no. 105203 [5] s. Subject : \q12*stu_us_auth*1 stus18930 \q \q1013 stu_us_auth*stus18930 \d GaN \q \q12*stu_us_auth*1 0047251 \q \q1013 stu_us_auth*0047251 \d Vertical transistor \q \q12*stu_us_auth*1 0047252 \q \q1013 stu_us_auth*0047252 \d Semi-insulating \q URL : https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S1369800120307344 Document kind : článok z periodika Category : ADC - Scientific titles in foreign carented magazines and noticed year-books Category (from 2022) : V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu