Title information : Investigation of the material properties of thin epitaxial Ga2O3 films grown by liquid-injection MOCVD on (111) Si with AlN buffer / aut. Miriam Krettová, Kristína Hušeková, Mateusz Wosko, Edmund Dobročka, Zdenko Zápražný, Iryna Kozak, Hemendra Chouhan, Fridrich Egyenes, Ondrej Pohorelec, Milan Ťapajna, Regina Paszkiewicz, Filip Gucmann Variant heading : \q12*stu_us_auth*1 0094110 \q \q1013 stu_us_auth*0094110 \d Krettová Miriam \q ; 033000  %continue : \q12*stu_us_auth*1 stu58269 \q \q1013 stu_us_auth*stu58269 \d Hušeková Kristína \q \q12*stu_us_auth*1 stu80711 \q \q1013 stu_us_auth*stu80711 \d Wosko Mateusz \q \q12*stu_us_auth*1 stu56407 \q \q1013 stu_us_auth*stu56407 \d Dobročka Edmund \q \q12*stu_us_auth*1 stu125617 \q \q1013 stu_us_auth*stu125617 \d Zápražný Zdenko \q \q12*stu_us_auth*1 0128489 \q \q1013 stu_us_auth*0128489 \d Kozak Iryna \q \q12*stu_us_auth*1 0120339 \q \q1013 stu_us_auth*0120339 \d Chouhan Hemendra \q ; 033000 \q12*stu_us_auth*1 0090528 \q \q1013 stu_us_auth*0090528 \d Egyenes Fridrich \q \q12*stu_us_auth*1 0003664 \q \q1013 stu_us_auth*0003664 \d Pohorelec Ondrej \q \q12*stu_us_auth*1 stu45748 \q \q1013 stu_us_auth*stu45748 \d Ťapajna Milan \q \q12*stu_us_auth*1 stu80710 \q \q1013 stu_us_auth*stu80710 \d Paszkiewicz Regina \q \q12*stu_us_auth*1 stu108658 \q \q1013 stu_us_auth*stu108658 \d Gucmann Filip \q In : \q12**1 0116049 \q %continue : ELITECH´25 : %continue : . [5] s. Subject : \q12*stu_us_auth*1 0108688 \q \q1013 stu_us_auth*0108688 \d Ga2O3 \q \q12*stu_us_auth*1 0108690 \q \q1013 stu_us_auth*0108690 \d MOCVD \q \q12*stu_us_auth*1 0040898 \q \q1013 stu_us_auth*0040898 \d AlN \q \q12*stu_us_auth*1 stus20534 \q \q1013 stu_us_auth*stus20534 \d Si \q \q12*stu_us_auth*1 0122260 \q \q1013 stu_us_auth*0122260 \d heteroepitaxy \q Document kind : článok zo zborníka Category : AFD - Reports at home scientific conferences Category (from 2022) : V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka