Search results
- Electrical characterisation of progressive structures based on GaN / aut. Matej Matuš, Ľubica Stuchlíková
Matuš Matej ; 033000 Stuchlíková Ľubica ; 033000
ELITECH´23 : . [8] s.
GaN I-V C-V DLTFS DLTFS-O
článok zo zborníka
AFD - Reports at home scientific conferences
V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka
article
- Investigation of electrically active defects in quasi-vertical GaN devices for high power applications / aut. Matej Matuš, Juraj Marek, Jakub Drobný, Karen Geens, Matteo Borga, Hu Liang, Stefaan Decoutere, Herwig Hahn, M Heuken, Ľubica Stuchlíková
Matuš Matej ; 030000 Marek Juraj ; 033000 Drobný Jakub ; 033000 Geens Karen Borga Matteo Liang Hu Decoutere Stefaan Hahn Herwig Heuken M. Stuchlíková Ľubica ; 033000
ADEPT 2022 : . S. 63-66
quasi-vertical MOSFET GaN electrically active defects DLTFS
článok zo zborníka
AFD - Reports at home scientific conferences
V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníkaarticle
- Analysis of emission and capture processes in GaAsN p-i-n solar cell / aut. Arpád Kósa, Wojciech Dawidowski, Jakub Drobný, Matej Matuš, Peter Benko, Damian Radziewicz, Beata Ściana, Ľubica Stuchlíková
Kósa Arpád ; 033000 Dawidowski Wojciech Drobný Jakub ; 033000 Matuš Matej ; 030000 Benko Peter ; 033000 Radziewicz Damian Ściana Beata Stuchlíková Ľubica ; 033000
ADEPT 2022 : . S. 254-257
GaAsN DLTFS emission and capture processes
článok zo zborníka
AFD - Reports at home scientific conferences
V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníkaarticle
- Study of semi-vertical GaN-on-Si FETs by DLTFS with optical excitation / aut. Jakub Drobný, Miloš Matúš, Juraj Marek, Aleš Chvála, Karen Geens, Matteo Borga, Hu Liang, Shuzhen You, Stefaan Decoutere, Ľubica Stuchlíková
Drobný Jakub ; 033000 Matuš Matej ; 030000 Marek Juraj ; 033000 Chvála Aleš ; 033000 Geens Karen Borga Matteo Liang Hu You Shuzhen Decoutere Stefaan Stuchlíková Ľubica ; 033000
ADEPT 2021 : . S. 183-186
Trench MOSFET GaN DLTFS emission and capture processes
článok zo zborníka
AFD - Reports at home scientific conferences
V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníkaarticle
- How does nitrogen incorporate into GaAsN epitaxial layers? / aut. Wojciech Dawidowski, Beata Ściana, J Jadczak, A Łozińska, V Manuel, M. C López-Escalante, M Gabás, Arpád Kósa, Jakub Drobný, Ľubica Stuchlíková, Damian Radziewicz
Dawidowski Wojciech Ściana Beata Jadczak J. Łozińska A. Manuel V. López-Escalante M. C. Gabás M. Kósa Arpád ; 033000 Drobný Jakub ; 033000 Stuchlíková Ľubica ; 033000 Radziewicz Damian
ADEPT 2021 : . S. 59-62
Dilute nitrides GaAsN nitrogen interstitial defects HRXRD XPS DLTFS Raman spectroscopy
článok zo zborníka
AFD - Reports at home scientific conferences
V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníkaarticle
- DLTFS study of emission and capture processes in InAlGaN/GaN HEMT heterostructures with different passivation schemes / aut. Jakub Drobný, Arpád Kósa, Jaroslav jr Kováč, Sylvain Laurent Delage, Ľubica Stuchlíková
Drobný Jakub ; 033000 Kósa Arpád ; 033000 Kováč Jaroslav jr. ; 033000 Delage Sylvain Laurent Stuchlíková Ľubica ; 033000
ADEPT 2020 : . S. 98-101
DLTFS InAlGaN HEMT structure Al2O3 and SiNx bilayer
článok zo zborníka
AFD - Reports at home scientific conferences
V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníkaarticle
- Investigation of electrically active defects in InAlGaN/GaN/SiC HEMT / aut. Jakub Vadovský, Jakub Drobný, Arpád Kósa, Peter Benko, Jaroslav Kováč, Sylvain Laurent Delage, Ľubica Stuchlíková
Vadovský Jakub ; 030000 Drobný Jakub ; 033000 Kósa Arpád ; 033000 Benko Peter ; 033000 Kováč Jaroslav jr. ; 033000 Delage Sylvain Laurent Stuchlíková Ľubica ; 033000
ADEPT 2020 : . S. 179-182
HEMT DLTFS InAlGaN GTML FAT Schottky barrier
článok zo zborníka
AFD - Reports at home scientific conferences
V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníkaarticle
- Challenges of DLTFS evaluation and experiment: HEMT structures based on GaN / aut. Jakub Drobný, Arpád Kósa, Ľubica Stuchlíková
Drobný Jakub ; 033000 Kósa Arpád ; 033000 Stuchlíková Ľubica ; 033000
ELITECH´20 : . [8] s.
DLTFS deep levels evaluation GaN HEMT
článok zo zborníka
AFD - Reports at home scientific conferences
V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníkaarticle
- DLTFS study of GaN/AlGaN/GaN/SiC HEMT heterostructures with different layer composition / aut. Jakub Drobný, Andrej Kopecký, Arpád Kósa, Peter Benko, Martin Florovič, Jaroslav jr Kováč, Sylvain Laurent Delage, Ľubica Stuchlíková
Drobný Jakub ; 033000 Kopecký Andrej ; 030000 Kósa Arpád ; 033000 Benko Peter ; 033000 Florovič Martin ; 033000 Kováč Jaroslav jr. ; 033000 Delage Sylvain Laurent Stuchlíková Ľubica ; 033000
ADEPT 2019 : . S. 111-114
DLTFS electrically active defect AlGaN/GaN/SiC HEMT structures
článok zo zborníka
AFD - Reports at home scientific conferences
V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníkaarticle
- Defect distribution in metal-porous siliconsilicon structures / aut. Peter Benko, Ľubica Stuchlíková, Arpád Kósa, Jakub Drobný, Ladislav Harmatha, Miroslav Mikolášek, Martin Kopáni, Kentaro Imamura, Hikaru Kobayashi, Emil Pinčík
Benko Peter ; 033000 Stuchlíková Ľubica ; 033000 Kósa Arpád ; 033000 Drobný Jakub ; 033000 Harmatha Ladislav ; 033000 Mikolášek Miroslav ; 033000 Kopáni Martin Imamura Kentaro Kobayashi Hikaru Pinčík Emil
ADEPT 2019 : . S. 135-138
porous silicon black silicon defects DLTFS
článok zo zborníka
AFD - Reports at home scientific conferences
V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníkaarticle