Search results
- Deep Level Transient Spectroscopy study of InAlGaN/GaN HEMT structures / aut. Matej Matuš, Jakub Drobný, Peter Benc, Martin Florovič, Sylvain Laurent Delage, Ľubica Stuchlíková
Matuš Matej ; 033000 Drobný Jakub Benc Peter Florovič Martin ; 033000 Delage Sylvain Laurent Stuchlíková Ľubica ; 033000
ADEPT 2023 : . S. 103-106
GaN HEMT defects Deep Level Transient Spectroscopy
článok zo zborníka
AFD - Reports at home scientific conferences
V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka
article
- DLTS study of InGaAs and GaAsN structures with different indium and nitrogen compositions / aut. Arpád Kósa, Ľubica Stuchlíková, Ladislav Harmatha, Jaroslav Kováč, Beata Sciana, Wojciech Dawidowski, Marek Tlaczala
Kósa Arpád ; 033000 Stuchlíková Ľubica ; 033000 Harmatha Ladislav ; 033000 Kováč Jaroslav ; 033000 Sciana Beata Dawidowski Wojciech Tlaczala Marek
Materials Science in Semiconductor Processing . Vol. 74, (2018), s. 313-318
semiconductor structure composition deep energy level Deep Level Transient Spectroscopy InGaAs GaAsN AP-MOVPE
https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S1369800117310685
článok z periodika
ADC - Scientific titles in foreign carented magazines and noticed year-books
V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisuarticle