How does nitrogen incorporate into GaAsN epitaxial layers? / aut. Wojciech Dawidowski, Beata Ściana, J Jadczak, A Łozińska, V Manuel, M. C López-Escalante, M Gabás, Arpád Kósa, Jakub Drobný, Ľubica Stuchlíková, Damian Radziewicz
Dawidowski Wojciech  Ściana Beata Jadczak J. Łozińska A. Manuel V. López-Escalante M. C. Gabás M. Kósa Arpád ; 033000 Drobný Jakub ; 033000 Stuchlíková Ľubica ; 033000 Radziewicz Damian
ADEPT 2021 : . S. 59-62
Dilute nitrides GaAsN nitrogen interstitial defects HRXRD XPS DLTFS Raman spectroscopy
článok zo zborníka
AFD - Reports at home scientific conferences
V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka