Charge trap states of sic power trenchmos transistor under repetitive unclamped inductive switching stress / aut. Juraj Marek, Jozef Kozárik, Michal Minárik, Aleš Chvála, Matej Matuš, Martin Donoval, Ľubica Stuchlíková, Martin Weis
Marek Juraj ; 033000  Kozárik Jozef ; 033000 Minárik Michal ; 033000 Chvála Aleš ; 033000 Matuš Matej ; 033000 Donoval Martin ; 030690 Stuchlíková Ľubica ; 033000 Weis Martin ; 033000
Materials . Vol. 15, iss. 22 (2022), Art. no. 8230 [11] s.
charge trap states reliability degradation SiC MOSFET TrenchMOSFET repetitive UIS
https://www.mdpi.com/1996-1944/15/22/8230
článok z periodika
ADC - Scientific titles in foreign carented magazines and noticed year-books
V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu

Power SiC MOSFET under repetitive UIS and short circuit stress / aut. Juraj Marek, Jozef Kozárik, Aleš Chvála, Michal Minárik, Martin Donoval
Marek Juraj ; 033000  Kozárik Jozef ; 033000 Chvála Aleš ; 033000 Minárik Michal ; 033000 Donoval Martin ; 030690
ADEPT 2021 : . S. 67-70
reliability degradation SiC MOSFET TrenchMOSFET repetitive UIS repetitive short circuit
článok z periodika
AFD - Reports at home scientific conferences
V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka