Search results

Records found: 41  
Your query: Author Sysno = "^stu_us_auth stu120483^"
  1. AlGaN/GaN HEMT channel temperature determination utilizing external heater / aut. Martin Florovič, Robert Szobolovszký, Jaroslav jr Kováč, Jaroslav Kováč, Aleš Chvála, Jean-Claude Jacquet, Sylvain Laurent Delage
    Florovič Martin ; 033000  Szobolovszký Robert Kováč Jaroslav jr. ; 033000 Kováč Jaroslav ; 033000 Chvála Aleš ; 033000 Jacquet Jean-Claude Delage Sylvain Laurent
    Semiconductor Science and Technology . Vol. 35, No. 2 (2020), Art. no. 025006 [6] s.
    dissipated power temperature profile HEMT FET GaN AlGaN
    https://iopscience.iop.org/article/10.1088/1361-6641/ab5d85
    článok z periodika
    ADC - Scientific titles in foreign carented magazines and noticed year-books
    V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    (1) - článok
    article

    article

  2. Advanced characterization techniques and analysis of thermal properties of AlGaN/GaN multifinger power HEMTs on SiC substrate supported by three-dimensional simulation / aut. Aleš Chvála, Robert Szobolovszký, Jaroslav jr Kováč, Martin Florovič, Juraj Marek, Ľuboš Černaj, Daniel Donoval, Jaroslav Kováč, Christian Dua, Sylvain Laurent Delage, Jean-Claude Jacquet
    Chvála Aleš ; 033000  Szobolovszký Robert ; 033000 Kováč Jaroslav jr. ; 033000 Florovič Martin ; 033000 Marek Juraj ; 033000 Černaj Ľuboš ; 033000 Donoval Daniel ; 033000 Kováč Jaroslav ; 033000 Dua Christian Delage Sylvain Laurent Jacquet Jean-Claude
    Journal of Electronic Packaging . Vol. 141, No. 3 (2019), Art. no. 031007 [7] s.
    https://electronicpackaging.asmedigitalcollection.asme.org/article.aspx?articleid=2731111
    článok z periodika
    ADC - Scientific titles in foreign carented magazines and noticed year-books
    V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    article

    article

  3. Rigorous channel temperature analysis verified for InAlN/AlN/GaN HEMT / aut. Martin Florovič, Robert Szobolovszký, Jaroslav jr Kováč, Jaroslav Kováč, Aleš Chvála, Jean-Claude Jacquet, Sylvain Laurent Delage
    Florovič Martin ; 033000  Szobolovszký Robert ; 033000 Kováč Jaroslav jr. ; 033000 Kováč Jaroslav ; 033000 Chvála Aleš ; 033000 Jacquet Jean-Claude Delage Sylvain Laurent
    Semiconductor Science and Technology . Vol. 34, No. 6 (2019), Art. no. 065021 [7] s.
    InAlN GaN FET HEMT temperature profile dissipated power
    https://iopscience.iop.org/article/10.1088/1361-6641/ab1737
    článok z periodika
    ADC - Scientific titles in foreign carented magazines and noticed year-books
    V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    article

    article

  4. Characterization of GaN and SiC Based Devices for Power Electronics : dátum obhajoby 26.8.2019, č. ved. odboru 5-2-13
    Szobolovszký Robert ; 033000  Kováč Jaroslav ; 033000 (Thesis advisor)
    Bratislava :
    STU v Bratislave FEI,
    2019
    FEI ; 26.08.2019 ; 5.2.13. elektronika ; D-EF . - 173 s., AUTOREF. 2019, 41 s.

    http://is.stuba.sk/zp/portal_zp.pl?podrobnosti=130790
    dizertačná práca
    DAI - Qualificational works (thesis, habilitation, atestation...)
    Faculty Available Inaccesible Issued For Request Only
    FEI0100
    book

    book

  5. Determination of on chip temperature distribution of devices under operation by using Raman microscopy / aut. Jaroslav jr Kováč, Robert Szobolovszký, Martin Florovič, Jaroslav Kováč, Aleš Chvála, Tomáš Vincze
    Kováč Jaroslav jr. ; 033000  Szobolovszký Robert ; 033000 Florovič Martin ; 033000 Kováč Jaroslav ; 033000 Chvála Aleš ; 033000 Vincze Tomáš ; 030000
    ADEPT 2019 : . S. 289-292
    GaN HEMT SiC temperature Raman microscopy
    článok zo zborníka
    AFD - Reports at home scientific conferences
    V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka
    article

    article

  6. Channel temperature determination of HEMT in quasi-static operation / aut. Martin Florovič, Robert Szobolovszký, Jaroslav jr Kováč, Jaroslav Kováč, Aleš Chvála, Jean-Claude Jacquet, Sylvain Laurent Delage
    Florovič Martin ; 033000  Szobolovszký Robert ; 033000 Kováč Jaroslav jr. ; 033000 Kováč Jaroslav ; 033000 Chvála Aleš ; 033000 Jacquet Jean-Claude Delage Sylvain Laurent
    ADEPT 2019 : . S. 55-58
    GaN HEMT quasi-static I-V characteristics channel temperature
    článok zo zborníka
    AFD - Reports at home scientific conferences
    V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka
    article

    article

  7. GaP nanocones covered with silver nanoparticles for surface-enhanced Raman spectroscopy / aut. Agáta Laurenčíková, Peter Eliáš, Stanislav Hasenöhrl, Jaroslav jr Kováč, Robert Szobolovszký, Jaroslav Kováč
    Laurenčíková Agáta  Eliáš Peter Hasenöhrl Stanislav Kováč Jaroslav jr. ; 033000 Szobolovszký Robert ; 033000 Kováč Jaroslav ; 033000
    Applied Surface Science . Vol. 461, (2018), s. 149-153
    GaP nanocones Ag nanoparticles SERS Rhodamine 6G
    https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S016943321831496X
    článok z periodika
    ADC - Scientific titles in foreign carented magazines and noticed year-books
    V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    article

    article

  8. Analysis of thermal properties of power HEMT on SiC substrate / aut. Aleš Chvála, Robert Szobolovszký, Jaroslav jr Kováč, Martin Florovič, Juraj Marek, Ľuboš Černaj, Patrik Príbytný, Daniel Donoval, Sylvain Laurent Delage, Jean-Claude Jacquet, Jaroslav Kováč
    Chvála Aleš ; 033000  Szobolovszký Robert ; 033000 Kováč Jaroslav jr. ; 033000 Florovič Martin ; 033000 Marek Juraj ; 033000 Černaj Ľuboš ; 033000 Príbytný Patrik ; 033000 Donoval Daniel ; 033000 Delage Sylvain Laurent Jacquet Jean-Claude Kováč Jaroslav ; 033000
    WOCSDICE 2018 : . S. 10-11
    článok zo zborníka
    BEE - Scientific works in not noticed year-books from international undertakings, foreign year-books
    O2 - Odborný výstup publikačnej činnosti ako časť knižnej publikácie alebo zborníka
    article

    article

  9. Analysis of 4H-Sic diode structure using micro-raman setup / aut. Jaroslav jr Kováč, Robert Szobolovszký, Jaroslav Kováč, Martin Florovič
    Kováč Jaroslav jr. ; 033000  Szobolovszký Robert ; 033000 Kováč Jaroslav ; 033000 Florovič Martin ; 033000
    ADEPT 2018 : . S. 29-32
    Raman spectroscopy electroluminescence 4H-SiC
    článok zo zborníka
    AFD - Reports at home scientific conferences
    V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka
    article

    article

  10. Ag decorated GaP nanocones for SERS / aut. Agáta Laurenčíková, Stanislav Hasenöhrl, Peter Eliáš, Jaroslav jr Kováč, Robert Szobolovszký, Ján Novák
    Laurenčíková Agáta  Hasenöhrl Stanislav Eliáš Peter Kováč Jaroslav jr. ; 033000 Szobolovszký Robert ; 033000 Novák J.
    ADEPT 2018 : . S. 204-207
    SERS Ag nanoparticle GaP nanocones
    článok zo zborníka
    AFD - Reports at home scientific conferences
    V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka
    article

    article


  This site uses cookies to make them easier to browse. Learn more about how we use cookies.