Search results
- Analysis of Reliability and Optimization of ESD Protection Devices Supported by Modeling and Simulation
Chvála Aleš ; E030 Donoval Daniel ; E030 Beňo Peter Marek Juraj ; E030 Príbytný Patrik ; E030 Molnár Marián ; E030
Microelectronics Reliability . Vol. 52 (2012), s.1031-1038
článok z periodika
ADC - Scientific titles in foreign carented magazines and noticed year-books
V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
article
- Analysis of the Geometry on Robustness of ESD Protection Devices
Chvála Aleš ; E030 Donoval Daniel ; E030 Beňo Peter Marek Juraj ; E030 Košík Tomáš ; E210
ASDAM 2008. The Seventh International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems / . s.143-146
článok zo zborníka
AFC - Reports at international scientific conferences
V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníkaarticle
- Extraction of the Critical Temperature Limit for ESD Protection Device
Chvála Aleš ; E030 Donoval Daniel ; E030 Beňo Peter Marek Juraj ; E030 Košík Tomáš ; E210
APCOM 2008. Applied Physics of Condensed Matter : . s.271-274
článok zo zborníka
AFD - Reports at home scientific conferences
V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníkaarticle
- Analysis of the Electro-Thermal Behavior of DMOS Transistor Structure during Multi-Pulse UIS Test
Marek Juraj ; E030 Donoval Daniel ; E030 Vrbický Andrej ; E210 Beňo Peter Chvála Aleš ; E030 Košík Tomáš ; E210
ISPS '08 : . s.279-284
článok zo zborníka
AFC - Reports at international scientific conferences
V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníkaarticle
- Analysis of the Doping Fluctuation on Robustness of ESD Protection Devices
Chvála Aleš ; E030 Donoval Daniel ; E030 Beňo Peter Marek Juraj ; E030 Košík Tomáš ; E210
ISPS '08 :
článok zo zborníka
AFC - Reports at international scientific conferences
V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníkaarticle
- Evaluation of the Ruggedness of Power DMOS Transistor from Electro-Thermal Simulation of UIS Bbehaviour
Donoval Daniel ; E030 Vrbický Andrej ; E210 Marek Juraj ; E030 Chvála Aleš ; E030 Beňo Peter
Solid-State Electronics . Vol. 52 (2008), s.892-898
článok z periodika
ADC - Scientific titles in foreign carented magazines and noticed year-books
V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisuarticle
- A Study of the Effects of the Base Doping Profile on SiGe Heterojunction Bipolar Transistor
Kinder Rudolf ; E030 Beňo Peter Schwierz Frank Hulényi Ladislav ; E210 Breza Juraj ; E030 Grmanová Alena ; E030
APCOM 2007. Applied Physics of Condensed Matter : . s.195-198
článok zo zborníka
AFD - Reports at home scientific conferences
V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníkaarticle
- Simulation of Boron Diffusion in Si and Strained SiGe Layers
Kinder Rudolf ; E030 Schwierz Frank Beňo Peter Gessner J.
Microelectronics Journal . Vol. 38 (2007), s.476-582
článok z periodika
ADC - Scientific titles in foreign carented magazines and noticed year-books
V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisuarticle
- Analysis of ESD Protection Devices Dependent on Structure Geometry
Chvála Aleš ; E030 Donoval Daniel ; E030 Beňo Peter
APCOM 2007. Applied Physics of Condensed Matter : . s.157-160
článok zo zborníka
AFD - Reports at home scientific conferences
V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníkaarticle
- 2/3-D Process and Device Simulation
Donoval Daniel ; E030 Vrbický Andrej ; E210 Chvála Aleš ; E030 Beňo Peter ; E210
Transistor Level Modeling for Analog/RF IC Design . , s.1-27
dokument (viac kapitol)
ABC - Chapters in scientific monography issued in foreign editorship
V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníkaarticle