Search results
- Deep Level Transient Spectroscopy study of InAlGaN/GaN HEMT structures / aut. Matej Matuš, Jakub Drobný, Peter Benc, Martin Florovič, Sylvain Laurent Delage, Ľubica Stuchlíková
Matuš Matej ; 033000 Drobný Jakub Benc Peter Florovič Martin ; 033000 Delage Sylvain Laurent Stuchlíková Ľubica ; 033000
ADEPT 2023 : . S. 103-106
GaN HEMT defects Deep Level Transient Spectroscopy
článok zo zborníka
AFD - Reports at home scientific conferences
V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka
article
- The HEMT average temperature determination utilizing transfer characteristics / aut. Martin Florovič, Jaroslav jr Kováč, Jaroslav Kováč, Aleš Chvála, Jean-Claude Jacquet, Sylvain Laurent Delage
Florovič Martin ; 033000 Kováč Jaroslav jr. ; 033000 Kováč Jaroslav ; 033000 Chvála Aleš ; 033000 Jacquet Jean-Claude Delage Sylvain Laurent
ADEPT 2023 : . S. 63-66
HEMT AlGaN/GaN transfer characteristics self-heating average temperature charge trapping
článok zo zborníka
AFD - Reports at home scientific conferences
V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníkaarticle
- Average Temperature Determination of AlGaN/GaN HEMT Utilizing Pinch-Off Voltage Biasing / aut. Martin Florovič, Jaroslav jr Kováč, Aleš Chvála, Jaroslav Kováč, Jean-Claude Jacquet, Sylvain Laurent Delage
Florovič Martin ; 033000 Kováč Jaroslav jr. ; 033000 Chvála Aleš ; 033000 Kováč Jaroslav ; 033000 Jacquet Jean-Claude Delage Sylvain Laurent
IEEE Transactions on Electron Devices . Vol. 70, No. 11 (2023), s. 5803-5806
AlGaN average temperature field effect transistor (FET) gallium nitride (GaN) HEMT power dissipation thermal model
https://ieeexplore.ieee.org/document/10268943
článok z periodika
ADM - 13/NOVÉ Vedecké práce v zahraničných časopisoch registrovaných v databázach Web of Science alebo SCOPUS
V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisuarticle
- Thermal resistance utilization as a key parameter for HEMT average temperature determination / aut. Martin Florovič, Jaroslav jr Kováč, Jaroslav Kováč, Aleš Chvála, Jean-Claude Jacquet, Sylvain Laurent Delage
Florovič Martin ; 033000 Kováč Jaroslav jr. ; 033000 Kováč Jaroslav ; 033000 Chvála Aleš ; 033000 Jacquet Jean-Claude Delage Sylvain Laurent
ADEPT 2022 : . S. 246-249
HEMT AlGaN/GaN I-V characteristics thermal resistance channel temperature
článok zo zborníka
AFD - Reports at home scientific conferences
V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníkaarticle
- HEMT average temperature determination utilizing low-power device operation / aut. Martin Florovič, Jaroslav jr Kováč, Aleš Chvála, Jaroslav Kováč, Jean-Claude Jacquet, Sylvain Laurent Delage
Florovič Martin ; 033000 Kováč Jaroslav jr. ; 033000 Chvála Aleš ; 033000 Kováč Jaroslav ; 033000 Jacquet Jean-Claude Delage Sylvain Laurent
IEEE Transactions on Electron Devices . Vol. 69, No. 10 (2022), s. 5484-5489
AlGaN average channel temperature charge trapping FET GaN HEMT
https://ieeexplore.ieee.org/document/9875358
článok z periodika
ADC - Scientific titles in foreign carented magazines and noticed year-books
V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisuarticle
- Theoretical and experimental substractions of device temperature determination utilizing I-V characterization applied on AlGaN/GaN HEMT / aut. Martin Florovič, Jaroslav jr Kováč, Aleš Chvála, Jaroslav Kováč, Jean-Claude Jacquet, Sylvain Laurent Delage
Florovič Martin ; 033000 Kováč Jaroslav jr. ; 033000 Chvála Aleš ; 033000 Kováč Jaroslav ; 033000 Jacquet Jean-Claude Delage Sylvain Laurent
Electronics . Vol. 10, iss. 22 (2021), Art. no. 2738 [12] s.
AlGaN FET GaN HEMT thermal current temperature profile average temperature
https://www.mdpi.com/2079-9292/10/22/2738
článok z periodika
ADC - Scientific titles in foreign carented magazines and noticed year-books
V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisuarticle
- Channel temperature determination of HEMT in quasi-static operation / aut. Martin Florovič, Jaroslav jr Kováč, Jaroslav Kováč, Aleš Chvála, Jean-Claude Jacquet, Sylvain Laurent Delage
Florovič Martin ; 033000 Kováč Jaroslav jr. ; 033000 Kováč Jaroslav ; 033000 Chvála Aleš ; 033000 Jacquet Jean-Claude Delage Sylvain Laurent
ADEPT 2021 : . S. 75-78
HEMT GaN I-V characteristics conductance channel temperature
článok z periodika
AFD - Reports at home scientific conferences
V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníkaarticle
- AlGaN/GaN HEMT channel temperature determination utilizing external heater / aut. Martin Florovič, Robert Szobolovszký, Jaroslav jr Kováč, Jaroslav Kováč, Aleš Chvála, Jean-Claude Jacquet, Sylvain Laurent Delage
Florovič Martin ; 033000 Szobolovszký Robert Kováč Jaroslav jr. ; 033000 Kováč Jaroslav ; 033000 Chvála Aleš ; 033000 Jacquet Jean-Claude Delage Sylvain Laurent
Semiconductor Science and Technology . Vol. 35, No. 2 (2020), Art. no. 025006 [6] s.
dissipated power temperature profile HEMT FET GaN AlGaN
https://iopscience.iop.org/article/10.1088/1361-6641/ab5d85
článok z periodika
ADC - Scientific titles in foreign carented magazines and noticed year-books
V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
(1) - článokarticle
- Modeling of HEMT device using neural network / aut. Ľuboš Černaj, Aleš Chvála, Juraj Marek, Daniel Donoval, Jozef Kozárik, Tomáš Závodník
Černaj Ľuboš ; 033000 Chvála Aleš ; 033000 Marek Juraj ; 033000 Donoval Daniel ; 033000 Kozárik Jozef ; 033000 Závodník Tomáš ; 033000
ADEPT 2020 : . S. 163-166
GaN HEMT neural network
článok zo zborníka
AFD - Reports at home scientific conferences
V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníkaarticle
- Channel temperature determination of HEMT in quasi-static operation / aut. Martin Florovič, Jaroslav jr Kováč, Jaroslav Kováč, Aleš Chvála, Jean-Claude Jacquet, Sylvain Laurent Delage
Florovič Martin ; 033000 Kováč Jaroslav jr. ; 033000 Kováč Jaroslav ; 033000 Chvála Aleš ; 033000 Jacquet Jean-Claude Delage Sylvain Laurent
ADEPT 2020 : . S. 41-44
HEMT GaN I-V characteristics conductance channel temperature
článok zo zborníka
AFD - Reports at home scientific conferences
V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníkaarticle