Search results

Records found: 13  
Your query: Author Sysno = "^stu_us_auth stus447^"
  1. Electrically Active Defects in Power SiC-MOSFET Before and After Applied Electrical Stress / aut. Viktor Malík, Matej Matuš, Aleš Chvála, Juraj Marek, Vincenzo Vinciguerra, Angelo Alberto Messina ; zost. Ľubica Stuchlíková
    Málik Viktor ; 030000  Matuš Matej ; 033000 Chvála Aleš ; 033000 Marek Juraj ; 033000 Vinciguerra Vincenzo Messina Angelo Alberto Stuchlíková Ľubica ; 033000
    ADEPT 2023 : . S. 169-172
    defects SiC MOSFET Deep-Level Transient Spectroscopy
    článok zo zborníka
    AFD - Reports at home scientific conferences
    V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka
    article

    article

  2. Precharge circuit based on SiC transistor in linear mode for high voltage battery powered systems / aut. Michal Minárik, Juraj Marek
    Minárik Michal ; 033000  Marek Juraj ; 033000
    ELITECH´21 : . [5] s.
    MOSFET precharge inrush current miller-capacitance DC-DC converter SMPS input capacitor
    článok zo zborníka
    AFD - Reports at home scientific conferences
    V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka
    article

    article

  3. Využitie MOCFET - štruktúr na dozimetriu rádioterapeutických zväzkov
    Katrík Peter ; E  Pavlovič Márius (Thesis advisor) ; E060
    Bratislava : STU v Bratislave FEI, 2010 . - 44 s
    elektrotechnika rádioterapia dozimetria MOSFET
    http://is.stuba.sk/zp/portal_zp.pl?podrobnosti=49847
    bakalárska práca
    Faculty Available Inaccesible Issued For Request Only
    FEI0001
    book

    book

  4. Devices for integrated circuits
    Casey H.C 
    New York : John Wiley & Sons, 1999 . - 512 s
    ISBN 0-471-17134-4
    integrované obvody fyzika polovodičov fyzika tuhých látok polovodičové štruktúry MOSFET MOS kondenzátory bipolárne tranzistory SPICE navrhovanie obvodov
    učebnica
    book

    book

  5. Výkonové tranzistory MOSFET
    Stengl Jens Peer  Tihanyi Jenö
    Praha : BEN - technická literatura, 1999 . - 191 s
    ISBN 80-86056-54-6
    výkonová elektronika MOS tranzistory MOSFET výkonové tranzistory
    učebnica
    Faculty Available Inaccesible Issued For Request Only
    FEI1003
    book

    book

  6. Fundamentals of modern VLSI devices
    Taur Yuan  Ning Tak
    Cambridge : Cambridge University Press, 1998 . - 469 s
    ISBN 0-521-55959-6
    polovodičové integrované obvody fyzika polovodičov MOSFET MOS CMOS bipolárne tranzistory
    učebnica
    Faculty Available Inaccesible Issued For Request Only
    FEI0002
    book

    book

  7. Design tips databook
    1.vyd.
    El Segundo : International Rectifier, [1995] . - 86 s
    tranzistory MOSFET HEXFET IGBT HEXFRED integrované obvody výkonová elektronika
    firemná literatúra
    book

    book

  8. MOS-Gate driver databook
    1.vyd.
    El Segundo : International Rectifier, [1994] . - 124 s
    tranzistory MOSFET IBT
    firemná literatúra
    book

    book

  9. Hexfet. Designer's manual : Obs. Vol.I., 314 s. Vol. III., 1696 s
    1.vyd.
    El Segundo : International Rectifier, 1993 . - 2 vol
    tranzistory IGFET XEXFET MOSFET
    firemná literatúra
    Faculty Available Inaccesible Issued For Request Only
    FEI0100
    book

    book

  10. Faculty Available Inaccesible Issued For Request Only
    FEI0001
    book

    book


  This site uses cookies to make them easier to browse. Learn more about how we use cookies.