Search results

  1. Charakterizácia polovodičových štruktúr pre vertikálne GaN tranzistory metódami SEM / aut. Juraj Priesol, Alexander Šatka, František Uherek, Daniel Haško, Peter Šichman, Stanislav Hasenöhrl, Ján Kuzmík
    Priesol Juraj ; 033000  Šatka Alexander ; 033000 Uherek František ; 033000 Haško Daniel Šichman Peter Hasenöhrl Stanislav Kuzmík Ján
    Fotonika 2020 : . S. 11-14
    vertikálny GaN tranzistor rastrovacia elektrónová mikroskopia katódoluminiscencia
    článok zo zborníka
    AFD - Reports at home scientific conferences
    article

    article

  2. Semi-insulating GaN for vertical structures: role of substrate selection and growth pressure / aut. Peter Šichman, Stanislav Hasenöhrl, Roman Stoklas, Juraj Priesol, Edmund Dobročka, Štefan Haščík, Filip Gucmann, Andrej Vincze, Aleš Chvála, Juraj Marek, Alexander Šatka, Ján Kuzmík
    Šichman Peter  Hasenöhrl Stanislav Stoklas Roman Priesol Juraj ; 033000 Dobročka Edmund Haščík Štefan Gucmann Filip Vincze Andrej Chvála Aleš ; 033000 Marek Juraj ; 033000 Šatka Alexander ; 033000 Kuzmík Ján
    Materials Science in Semiconductor Processing . Vol. 118, (2020), Art. no. 105203 [5] s.
    GaN Vertical transistor Semi-insulating
    https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S1369800120307344
    článok z periodika
    ADC - Scientific titles in foreign carented magazines and noticed year-books
    article

    article