Search results
- Influence of thin Ga2Se3 interlayer on the properties of GaP/PtSe2 heterojunction / aut. Jozef Novák, Peter Eliáš, Stanislav Hasenöhrl, Michaela Sojková
Novák Jozef ; 030690 Eliáš Peter Hasenöhrl Stanislav Sojková Michaela Laurenčíková Agáta Kováč Jaroslav jr. ; 033000 Kováč Jaroslav ; 033000
ADEPT 2023 : . S. 24-27
heterojunction phototransistor interlayer
článok zo zborníka
AFD - Reports at home scientific conferences
V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka
article
- Bipolar heterojunction phototransistor based on thin PtSe2 layer / aut. Jozef Novák, Peter Eliáš, Stanislav Hasenöhrl, Michaela Sojková, Agáta Laurenčíková, Jaroslav jr Kováč, Jaroslav Kováč
Novák Jozef Eliáš Peter Hasenöhrl Stanislav Sojková Michaela Laurenčíková Agáta Kováč Jaroslav jr. ; 033000 Kováč Jaroslav ; 033000
WOCSDICE‐EXMATEC 2023 : . S. 59-60
článok zo zborníka
BEE - Scientific works in not noticed year-books from international undertakings, foreign year-books
O2 - Odborný výstup publikačnej činnosti ako časť knižnej publikácie alebo zborníkaarticle
- Vertical GaN transistor with semi-insulating channel / aut. Peter Šichman, Roman Stoklas, Stanislav Hasenöhrl, Dagmar Gregušová, Milan Ťapajna, Boris Hudec, Štefan Haščík, Tamotsu Hashizume, Aleš Chvála, Alexander Šatka, Ján Kuzmík
Šichman Peter Stoklas Roman Hasenöhrl Stanislav Gregušová Dagmar Ťapajna Milan Hudec Boris Haščík Štefan Hashizume Tamotsu Chvála Aleš ; 033000 Šatka Alexander ; 033000 Kuzmík Ján
Physica Status Solidi (A)-Applications and Materials Science . Vol. 220, Iss. 16 (2023), Art. no. 2200776 [6] s.
C doping GaN Semi-insulating vertical transistors
https://onlinelibrary.wiley.com/doi/full/10.1002/pssa.202200776
článok z periodika
ADC - Scientific titles in foreign carented magazines and noticed year-books
V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisuarticle
- EBIC analysis of semi-insulating GaN/Si-doped GaN-on-GaN test structures for vertical GaN transistors / aut. Juraj Priesol, Alexander Šatka, Aleš Chvála, Peter Šichman, Stanislav Hasenöhrl, Ján Kuzmík, František Uherek
Priesol Juraj ; 033000 Šatka Alexander ; 033000 Chvála Aleš ; 033000 Šichman Peter Hasenöhrl Stanislav Kuzmík Ján Uherek František ; 033000
WOCSDICE‐EXMATEC 2022 : . S. OP 94-95
článok zo zborníka
BEE - Scientific works in not noticed year-books from international undertakings, foreign year-books
O2 - Odborný výstup publikačnej činnosti ako časť knižnej publikácie alebo zborníkaarticle
- MOVPE growth of edge rich GaP surfaces for preparation of molybdenum disulphide / aut. Jozef Novák, Agáta Laurenčíková, Peter Eliáš, Stanislav Hasenöhrl, Michaela Sojková, Jaroslav jr Kováč, Jaroslav Kováč
Novák Jozef Laurenčíková Agáta Eliáš Peter Hasenöhrl Stanislav Sojková Michaela Kováč Jaroslav jr. ; 033000 Kováč Jaroslav ; 033000
ADEPT 2022 : . S. 21-24
MOVPE growth nanocone heterojunction
článok zo zborníka
AFD - Reports at home scientific conferences
V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníkaarticle
- Characterization of MoS2/GaP heterojunction properties / aut. Jozef Novák, Agáta Laurenčíková, Peter Eliáš, Stanislav Hasenöhrl, Michaela Sojková, Jaroslav jr Kováč, Jaroslav Kováč
Novák Jozef Laurenčíková Agáta Eliáš Peter Hasenöhrl Stanislav Sojková Michaela Kováč Jaroslav jr. ; 033000 Kováč Jaroslav ; 033000
WOCSDICE‐EXMATEC 2022 : . S. OP 72-73
článok zo zborníka
BEE - Scientific works in not noticed year-books from international undertakings, foreign year-books
O2 - Odborný výstup publikačnej činnosti ako časť knižnej publikácie alebo zborníkaarticle
- Investigation of a nanostructured GaP/MoS2 p-n heterojunction photodiode / aut. Jozef Novák, Agáta Laurenčíková, Peter Eliáš, Stanislav Hasenöhrl, Michaela Sojková, Jaroslav jr Kováč, Jaroslav Kováč
Novák Jozef Laurenčíková Agáta Eliáš Peter Hasenöhrl Stanislav Sojková Michaela Kováč Jaroslav jr. ; 033000 Kováč Jaroslav ; 033000
AIP Advances . Vol. 12, Iss. 6 (2022), Art. no. 065004 [5] s.
https://aip.scitation.org/doi/10.1063/5.0089842
článok z periodika
ADC - Scientific titles in foreign carented magazines and noticed year-books
V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisuarticle
- Influence of edge rich surface on growth of MoS2 from thin molybdenum layer / aut. Jozef Novák, Agáta Laurenčíková, Peter Eliáš, Stanislav Hasenöhrl, Michaela Sojková, Jaroslav jr Kováč
Novák Jozef Laurenčíková Agáta Eliáš Peter Hasenöhrl Stanislav Sojková Michaela Kováč Jaroslav jr. ; 033000
ADEPT 2021 : . S. 5-8
nanocones high density of edges edge growth
článok zo zborníka
AFD - Reports at home scientific conferences
V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníkaarticle
- Mg doping of InAlN layers / aut. Ondrej Pohorelec, Dagmar Gregušová, Stanislav Hasenöhrl, Edmund Dobročka, Roman Stoklas, Ľubomír Vančo, Ľubomír Vančo, M Gregor, Ján Kuzmík
Pohorelec Ondrej Gregušová Dagmar Hasenöhrl Stanislav Dobročka Edmund Stoklas Roman Vančo Ľubomír ; 060700 Gregor M. Kuzmík Ján
ADEPT 2021 : . S. 147-150
článok zo zborníka
AFD - Reports at home scientific conferences
V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníkaarticle
- Analysis and modeling of vertical current conduction and breakdown mechanisms in semi-insulating GaN grown on GaN: Role of deep levels / aut. Roman Stoklas, Aleš Chvála, Peter Šichman, Stanislav Hasenöhrl, Štefan Haščík, Juraj Priesol, Alexander Šatka, Ján Kuzmík
Stoklas Roman Chvála Aleš ; 033000 Šichman Peter Hasenöhrl Stanislav Haščík Štefan Priesol Juraj ; 033000 Šatka Alexander ; 033000 Kuzmík Ján
IEEE Transactions on Electron Devices . Vol. 68, No. 5 (2021), s. 2365-2371
Carrier compensation electrical breakdown Semi-insulating simulation space-charge-limited current Vertical transistor
https://ieeexplore.ieee.org/document/9384237
článok z periodika
ADC - Scientific titles in foreign carented magazines and noticed year-books
V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisuarticle