Vysoko-výkonové normálne-zatvorené spínacie tranzistory na báze GaN : dát. obhaj. 23.9.2014, č. ved. odb. 5-2-13
Jurkovič Michal ; E030 
Bratislava : STU v Bratislave FEI, 2014
FEI ; 23.09.2014 ; 99 . - 107 s AUTOREF. 2014, 33 s.
Mikroelektronika Microelectronics breakdown výkon GaN MOS
http://is.stuba.sk/zp/portal_zp.pl?podrobnosti=84348
dizertačná práca
DAI - Qualificational works (thesis, habilitation, atestation...)