Search results
- Epitaxný rast GaAs a LT GaAs vrstiev z molekulárnych zväzkov a charakterizácia ich vlastností : Č.ved.odb. 26-13-9. Obh. 06.06.2006
Vincze Andrej ; E030 Kováč Jaroslav (Thesis advisor) ; E030
Bratislava : STU v Bratislave FEI, 2006 . - 148 s
elektronika polovodičové štruktúry heteroštruktúry fyzika polovodičov epitaxia kvantové drôty príprava tenkých vrstiev GaAs
dizertačná práca
DAI - Qualificational works (thesis, habilitation, atestation...)Faculty Available Inaccesible Issued For Request Only FEI 1 0 0 0 
book
- Príprava GaAs/InGaP kvantových drôtov MOVPE rastom na tvarovaných podložkách : V. odb. 26-13-9. Obh. 01.03.2001
Kičin Slavomír Novák Jozef (Thesis advisor)
Bratislava : SAV, 2000 . - 72 s príl.
elektronika polovodičové štruktúry heteroštruktúry fyzika polovodičov epitaxia kvantové drôty príprava tenkých vrstiev
dizertačná práca
DAI - Qualificational works (thesis, habilitation, atestation...)Faculty Available Inaccesible Issued For Request Only FEI 1 0 0 0 book