Počet záznamov: 1  

Trapping analysis of AlGaN/GaN Schottky diodes via current transient spectroscopy

  1. CREPC201606 CREPC201607 CREPC201609 CREPC102016 CREPC201611 CREPC201701 CREPC201702 CREPC201703 C
    Údaje o názveTrapping analysis of AlGaN/GaN Schottky diodes via current transient spectroscopy / aut. Martin Florovič, Jaroslava Škriniarová, Jaroslav Kováč, Peter Kordoš
    Záhlavie-meno Florovič, Martin, 1978- (Autor) - FEI Ústav elektroniky a fotoniky
    Ďal.zodpovednosť Škriniarová, Jaroslava, 1954- Z2 (Autor) - FEI Ústav elektroniky a fotoniky
    Kováč, Jaroslav, 1947- Z1 (Autor) - FEI Ústav elektroniky a fotoniky
    Kordoš, Peter, 1939- Z8 (Autor) - FEI Ústav elektroniky a fotoniky
    PoznámkyQ= 1
    In Electronics. -- ISSN 2079-9292. -- Vol. 5, Iss. 2 (2016), Art. no. 20 [7] s.
    Predmet.heslá AlGaN/GaN
    Schottky diode
    exponential function
    (de)trapping
    activation energy
    Jazyk dok.angličtina
    URLhttp://www.mdpi.com/2079-9292/5/2/20
    Druh dok.RBX - článok z periodika
    KategóriaADM - 13/NOVÉ Vedecké práce v zahraničných časopisoch registrovaných v databázach Web of Science alebo SCOPUS
    Kategória od 2022V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    V databázach WOS: 000380002600007
    SCOPUS: 2-s2.0-84973864052
    Rok2016
    článok

    článok

Počet záznamov: 1  

  Tieto stránky využívajú súbory cookies, ktoré uľahčujú ich prezeranie. Ďalšie informácie o tom ako používame cookies.