Počet záznamov: 1  

Temperature dependence of the threshold voltage in GaN-based HFETs and MOSHFETs

  1. CREPC201703 CREPC201706
    Údaje o názveTemperature dependence of the threshold voltage in GaN-based HFETs and MOSHFETs / aut. Martin Florovič, Roman Stoklas, Peter Kordoš
    Záhlavie-meno Florovič, Martin, 1978- (Autor) - FEI Ústav elektroniky a fotoniky
    Ďal.zodpovednosť Stoklas, Roman (Autor)
    Kordoš, Peter, 1939- Z8 (Autor) - FEI Ústav elektroniky a fotoniky
    Prekl.názTeplotná závislosť prahového napätia v HFET a MOSHFET na báze GaN
    In WOCSDICE‐EXMATEC 2016 / Workshop on compound semiconductor devices and integrated circuits held in Europe. -- Aveiro : University of Aveiro, 2016. -- [2] s.
    Jazyk dok.angličtina
    Druh dok.RZB - článok zo zborníka
    KategóriaBEE - 13/Odborné práce v zahraničných zborníkoch (konferenčných aj nekonferenčných); 12/(len nerecenzované)
    Kategória od 2022O2 - Odborný výstup publikačnej činnosti ako časť knižnej publikácie alebo zborníka
    Rok2016
    článok

    článok

Počet záznamov: 1  

  Tieto stránky využívajú súbory cookies, ktoré uľahčujú ich prezeranie. Ďalšie informácie o tom ako používame cookies.