Počet záznamov: 1  

Channel temperature analysis of power AlGaN/GaN HEMT

  1. CREPC201709 CREPC201710 CREPC201711 CREPC022018 CREPC201802 CREPC201803 CREPC201806
    Údaje o názveChannel temperature analysis of power AlGaN/GaN HEMT / aut. Martin Florovič, Robert Szobolovszký, Jaroslav jr Kováč, Jaroslav Kováč, Aleš Chvála, J.-C Jacquet, S. L Delage
    Záhlavie-meno Florovič, Martin, 1978- (Autor) - FEI Ústav elektroniky a fotoniky
    Ďal.zodpovednosť Szobolovszký, Robert, 1990- Z3 (Autor) - FEI Ústav elektroniky a fotoniky
    Kováč, Jaroslav jr. 1977- Z2 (Autor) - FEI Ústav elektroniky a fotoniky
    Kováč, Jaroslav, 1947- Z1 (Autor) - FEI Ústav elektroniky a fotoniky
    Chvála, Aleš, 1981- Z2 (Autor) - FEI Ústav elektroniky a fotoniky
    Jacquet, Jean-Claude Z6 (Autor)
    Delage, Sylvain Laurent (Autor)
    Prekl.názAnalýza teploty kanála výkonnového AlGaN/GaN tranzistora
    In ADEPT 2017 [302 s.] / International conference on advances in electronic and photonic technologies. -- Žilina : University of Žilina, 2017. -- ISBN 978-80-554-1342-6. -- S. 36-39
    Predmet.heslá AlGaN
    GaN
    HEMT
    temperature
    DC characterization
    dissipated power
    Jazyk dok.angličtina
    Druh dok.RZB - článok zo zborníka
    KategóriaAFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
    Rok2017
    článok

    článok

Počet záznamov: 1