Počet záznamov: 1  

Annealing, temperature, and bias-induced threshold voltage instabilities in integrated E/D-mode InAlN/GaN MOS HEMTs

  1. CREPC201709 CREPC201710 CREPC201711 CREPC022018 CREPC201802 CREPC201803 CREPC201806
    Údaje o názveAnnealing, temperature, and bias-induced threshold voltage instabilities in integrated E/D-mode InAlN/GaN MOS HEMTs / aut. Matej Blaho, Dagmar Gregušová, Štefan Haščík, Milan Ťapajna, Karol Fröhlich, Alexander Šatka, Ján Kuzmík
    Záhlavie-meno Blaho, Matej (Autor)
    Ďal.zodpovednosť Gregušová, Dagmar (Autor)
    Haščík, Štefan Z5 (Autor)
    Ťapajna, Milan, 1977- (Autor)
    Fröhlich, Karol 1954- (Autor)
    Šatka, Alexander, 1960- Z1 (Autor) - FEI Ústav elektroniky a fotoniky
    Kuzmík, Ján (Autor)
    PoznámkyIF=3,495 , Q=1
    In Applied Physics Letters. -- ISSN 0003-6951. -- Vol. 111, Iss. 3 (2017), Art. no. 033506 [4] s.
    Jazyk dok.angličtina
    URLhttp://aip.scitation.org/doi/full/10.1063/1.4995235
    Druh dok.RBX - článok z periodika
    KategóriaADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch
    Kategória od 2022V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    V databázach CC: 000406123100069
    Rok2017
    článok

    článok

Počet záznamov: 1  

  Tieto stránky využívajú súbory cookies, ktoré uľahčujú ich prezeranie. Ďalšie informácie o tom ako používame cookies.