Počet záznamov: 1
Annealing, temperature, and bias-induced threshold voltage instabilities in integrated E/D-mode InAlN/GaN MOS HEMTs
CREPC201709 CREPC201710 CREPC201711 CREPC022018 CREPC201802 CREPC201803 CREPC201806 Údaje o názve Annealing, temperature, and bias-induced threshold voltage instabilities in integrated E/D-mode InAlN/GaN MOS HEMTs / aut. Matej Blaho, Dagmar Gregušová, Štefan Haščík, Milan Ťapajna, Karol Fröhlich, Alexander Šatka, Ján Kuzmík Záhlavie-meno Blaho, Matej (Autor) Ďal.zodpovednosť Gregušová, Dagmar (Autor) Haščík, Štefan Z5 (Autor) Ťapajna, Milan, 1977- (Autor) Fröhlich, Karol 1954- (Autor) Šatka, Alexander, 1960- Z1 (Autor) - FEI Ústav elektroniky a fotoniky Kuzmík, Ján (Autor) Poznámky IF=3,495 , Q=1 In Applied Physics Letters. -- ISSN 0003-6951. -- Vol. 111, Iss. 3 (2017), Art. no. 033506 [4] s. Jazyk dok. angličtina URL http://aip.scitation.org/doi/full/10.1063/1.4995235 Druh dok. RBX - článok z periodika Kategória ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch Kategória od 2022 V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu V databázach CC: 000406123100069 Rok 2017 článok
Počet záznamov: 1