Počet záznamov: 1  

Technology of integrated self-aligned E/Dmode n++GaN/InAlN/AlN/GaN MOS HEMTs for mixed-signal electronics

  1. CREPC201803 CREPC201806
    Údaje o názveTechnology of integrated self-aligned E/Dmode n++GaN/InAlN/AlN/GaN MOS HEMTs for mixed-signal electronics / aut. M Blaho, Dagmar Gregušová, Štefan Haščík, Karol Fröhlich, Milan Ťapajna, Alexander Šatka, Ladislav Nagy, Aleš Chvála, Juraj Marek, Ján Kuzmík
    Záhlavie-meno Blaho, Michal, 1987- (Autor)
    Ďal.zodpovednosť Gregušová, Dagmar (Autor)
    Haščík, Štefan Z5 (Autor)
    Fröhlich, Karol 1954- (Autor)
    Ťapajna, Milan, 1977- (Autor)
    Šatka, Alexander, 1960- Z1 (Autor) - FEI Ústav elektroniky a fotoniky
    Nagy, Ladislav (Autor)
    Chvála, Aleš, 1981- Z2 (Autor) - FEI Ústav elektroniky a fotoniky
    Marek, Juraj, 1983- Z2 (Autor) - FEI Ústav elektroniky a fotoniky
    Kuzmík, Ján (Autor)
    In International workshop on devices and applications project [42 s.] / International workshop on devices and applications project. -- Bratislava : Desidia Tech l.t.d, 2017. -- ISBN 978-80-972928-1-2. -- S. 20-22
    Jazyk dok.angličtina
    Druh dok.RZB - článok zo zborníka
    KategóriaBEF - 13/Odborné práce v domácich zborníkoch (konferenčných aj nekonferenčných); 12/(len nerecenzované)
    Kategória od 2022O2 - Odborný výstup publikačnej činnosti ako časť knižnej publikácie alebo zborníka
    Rok2017
    článok

    článok

Počet záznamov: 1  

  Tieto stránky využívajú súbory cookies, ktoré uľahčujú ich prezeranie. Ďalšie informácie o tom ako používame cookies.