Počet záznamov: 1
Device and circuit models of InAlN/GaN D- and Dual-Gate E-Mode HEMTs for design and characterisation of monolithic NAND logic cell
Údaje o názve Device and circuit models of InAlN/GaN D- and Dual-Gate E-Mode HEMTs for design and characterisation of monolithic NAND logic cell / aut. Aleš Chvála, Lukáš Nagy, Juraj Priesol, Daniel Donoval, Alexander Šatka, Michal Blaho, Dagmar Gregušová, Ján Kuzmík Záhlavie-meno Chvála, Aleš, 1981- (Autor) - FEI Ústav elektroniky a fotoniky Ďal.zodpovednosť Nagy, Lukáš, 1985- Z2 (Autor) - FEI Ústav elektroniky a fotoniky Marek, Juraj, 1983- Z2 (Autor) - FEI Ústav elektroniky a fotoniky Priesol, Juraj, 1986- Z2 (Autor) - FEI Ústav elektroniky a fotoniky Donoval, Daniel, 1953- Z1 (Autor) - FEI Ústav elektroniky a fotoniky Šatka, Alexander, 1960- Z1 (Autor) - FEI Ústav elektroniky a fotoniky Blaho, Michal, 1982- (Autor) Gregušová, Dagmar (Autor) Kuzmík, Ján (Autor) In DTIS 2018 / International Conference on Design & Technology of Integrated Systems in Nanoscale Era (DTIS 2018). -- Danvers : IEEE, 2018. -- ISBN 978-1-5386-5290-9. -- USB, [6] s. Predmet.heslá monolithic integration NAND logic cell InAlN/GaN HEMT 2D device modeling and simulation HEMT circuit model Jazyk dok. angličtina Druh dok. RZB - článok zo zborníka Kategória AFC - Publikované príspevky na zahraničných vedeckých konferenciách Kategória od 2022 V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka Rok 2018 
článok
Počet záznamov: 1