Počet záznamov: 1
Determination of secondary-ions yield in SIMS depth profiling of Si, Mg, and C ions implanted GaN epitaxial layers
Údaje o názve Determination of secondary-ions yield in SIMS depth profiling of Si, Mg, and C ions implanted GaN epitaxial layers / aut. Milan Ťapajna, Andrej Vincze, Pavol Noga, Jozef Dobrovodský, Andrea Šagátová, Stanislav Hasenöhrl, Dagmar Gregušová Záhlavie-meno Ťapajna, Milan, 1977- (Autor) Ďal.zodpovednosť Vincze, Andrej, 1975- (Autor) Noga, Pavol, 1982- Z2 (Autor) - MTF Ústav výskumu progresívnych technológií Dobrovodský, Jozef, 1955- Z2 (Autor) - MTF Ústav výskumu progresívnych technológií Šagátová, Andrea, 1977- Z8 (Autor) - FEI Ústav jadrového a fyzikálneho inžinierstva Hasenöhrl, Stanislav Z5 (Autor) Gregušová, Dagmar (Autor) Kuzmík, Ján (Autor) In ASDAM 2018 [234 s.] / International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems (ASDAM 2018). -- Danvers : IEEE, 2018. -- ISBN 978-1-5386-7488-8. -- S. 141-144 Jazyk dok. angličtina URL https://ieeexplore.ieee.org/document/8544657 Druh dok. RZB - článok zo zborníka Kategória AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách Kategória od 2022 V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka WOS: 000468753600031
SCOPUS: 2-s2.0-85059991579Rok 2018 
článok
Počet záznamov: 1