Počet záznamov: 1
Rigorous channel temperature analysis verified for InAlN/AlN/GaN HEMT
Údaje o názve Rigorous channel temperature analysis verified for InAlN/AlN/GaN HEMT / aut. Martin Florovič, Robert Szobolovszký, Jaroslav jr Kováč, Jaroslav Kováč, Aleš Chvála, Jean-Claude Jacquet, Sylvain Laurent Delage Záhlavie-meno Florovič, Martin, 1978- (Autor) - FEI Ústav elektroniky a fotoniky Ďal.zodpovednosť Szobolovszký, Robert, 1990- Z3 (Autor) - FEI Ústav elektroniky a fotoniky Kováč, Jaroslav jr. 1977- Z1 (Autor) - FEI Ústav elektroniky a fotoniky Kováč, Jaroslav, 1947- Z8 (Autor) - FEI Ústav elektroniky a fotoniky Chvála, Aleš, 1981- Z2 (Autor) - FEI Ústav elektroniky a fotoniky Jacquet, Jean-Claude Z6 (Autor) Delage, Sylvain Laurent Z6 (Autor) In Semiconductor Science and Technology. -- ISSN 0268-1242. -- Vol. 34, No. 6 (2019), Art. no. 065021 [7] s. Predmet.heslá InAlN GaN FET HEMT temperature profile dissipated power Jazyk dok. angličtina URL https://iopscience.iop.org/article/10.1088/1361-6641/ab1737 Druh dok. RBX - článok z periodika Kategória ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch Kategória od 2022 V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu V databázach CC: 000468637400014 Rok 2019 
článok
Počet záznamov: 1