Počet záznamov: 1  

Defect analysis of InAlGaN/GaN/SiC HEMT heterostructures

  1. Údaje o názveDefect analysis of InAlGaN/GaN/SiC HEMT heterostructures / aut. Ľubica Stuchlíková, Jakub Drobný, Arpád Kósa, Jakub Vadovský, Peter Benko, Aurel Škoda, Sylvain Laurent Delage, Jaroslav jr Kováč
    Záhlavie-meno Stuchlíková, Ľubica, 1967- (Autor) - FEI Ústav elektroniky a fotoniky
    Ďal.zodpovednosť Drobný, Jakub, 1994- Z3 (Autor) - FEI Ústav elektroniky a fotoniky
    Kósa, Arpád, 1987- Z8 (Autor) - FEI Ústav elektroniky a fotoniky
    Vadovský, Jakub (Autor) Z4 - FEI Fakulta elektrotechniky a informatiky
    Benko, Peter, 1981- Z2 (Autor) - FEI Ústav elektroniky a fotoniky
    Škoda, Aurel (Autor)
    Delage, Sylvain Laurent Z6 (Autor)
    Kováč, Jaroslav jr. 1977- Z1 (Autor) - FEI Ústav elektroniky a fotoniky
    In WOCSDICE 2019 / Workshop on compound semiconductor devices and integrated circuits held in Europe (Wocsdice 2019). -- Cabourg, 2019. -- [2] s.
    Jazyk dok.angličtina
    Druh dok.RZB - článok zo zborníka
    KategóriaBEE - 13/Odborné práce v zahraničných zborníkoch (konferenčných aj nekonferenčných); 12/(len nerecenzované)
    Kategória od 2022O2 - Odborný výstup publikačnej činnosti ako časť knižnej publikácie alebo zborníka
    Rok2019
    článok

    článok

Počet záznamov: 1  

  Tieto stránky využívajú súbory cookies, ktoré uľahčujú ich prezeranie. Ďalšie informácie o tom ako používame cookies.