Počet záznamov: 1  

Evidence of relationship between strain and In-incorporation: Growth of N-polar In-rich InAlN buffer layer by OMCVD

  1. Údaje o názveEvidence of relationship between strain and In-incorporation: Growth of N-polar In-rich InAlN buffer layer by OMCVD / aut. Prerna Chauhan, Stanislav Hasenöhrl, Edmund Dobročka, Marie-Pierre Chauvat, A Minj, Filip Gucmann, Ľubomír Vančo, Jaroslav jr Kováč, S Kret, Pierre Ruterana, Martin Kuball, Peter Šiffalovič, Ján Kuzmík
    Záhlavie-meno Chauhan, Prerna (Autor)
    Ďal.zodpovednosť Hasenöhrl, Stanislav Z5 (Autor)
    Dobročka, Edmund, 1955- Z5 (Autor)
    Chauvat, Marie-Pierre (Autor)
    Minj, A. (Autor)
    Gucmann, Filip, (Autor)
    Vančo, Ľubomír, 1983- Z2 (Autor) - Centrum STU pre nanodiagnostiku
    Kováč, Jaroslav jr. 1977- Z1 (Autor) - FEI Ústav elektroniky a fotoniky
    Kret, S. (Autor)
    Ruterana, Pierre (Autor)
    Kuball, Martin (Autor)
    Šiffalovič, Peter (Autor)
    Kuzmík, Ján (Autor)
    In Journal of Applied Physics. -- ISSN 0021-8979. -- 125, iss. 10 (2019), s. 5304-5304
    Jazyk dok.angličtina
    Druh dok.RBX - článok z periodika
    KategóriaADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch
    Rok2019
    rok vydaniarok metrikyIFIF Q (best)SJRSJR Q (best)
    201920192.286Q20.728Q2
    článok

    článok

Počet záznamov: 1