Počet záznamov: 1  

A systematic study of MOCVD reactor conditions and Ga memory effect on properties of thick InAl(Ga)N layers: a complete depth-resolved investigation

  1. Údaje o názveA systematic study of MOCVD reactor conditions and Ga memory effect on properties of thick InAl(Ga)N layers: a complete depth-resolved investigation / aut. Prerna Chauhan, Stanislav Hasenöhrl, Ľubomír Vančo, Peter Šiffalovič, Edmund Dobročka, Daniel Machajdík, Alica Rosová, Filip Gucmann, Jaroslav jr Kováč, Igor Matko, Martin Kuball, Ján Kuzmík
    Záhlavie-meno Chauhan, Prerna (Autor)
    Ďal.zodpovednosť Hasenöhrl, Stanislav Z5 (Autor)
    Vančo, Ľubomír, 1983- Z2 (Autor) - Centrum STU pre nanodiagnostiku
    Šiffalovič, Peter (Autor)
    Dobročka, Edmund, 1955- Z5 (Autor)
    Machajdík, Daniel (Autor)
    Rosová, Alica (Autor)
    Gucmann, Filip, 1987- (Autor)
    Kováč, Jaroslav jr. 1977- Z1 (Autor) - FEI Ústav elektroniky a fotoniky
    Matko, Igor (Autor)
    Kuball, Martin (Autor)
    Kuzmík, Ján (Autor)
    In CrystEngComm. -- ISSN 1466-8033. -- Vol. 22, iss. 1 (2020), s. 130-141
    Jazyk dok.angličtina
    Druh dok.RBX - článok z periodika
    KategóriaADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch
    Rok2020
    rok vydaniarok metrikyIFIF Q (best)SJRSJR Q (best)
    202020193.117Q20.814Q1
    článok

    článok

Počet záznamov: 1