Počet záznamov: 1
A systematic study of MOCVD reactor conditions and Ga memory effect on properties of thick InAl(Ga)N layers: a complete depth-resolved investigation
Údaje o názve A systematic study of MOCVD reactor conditions and Ga memory effect on properties of thick InAl(Ga)N layers: a complete depth-resolved investigation / aut. Prerna Chauhan, Stanislav Hasenöhrl, Ľubomír Vančo, Peter Šiffalovič, Edmund Dobročka, Daniel Machajdík, Alica Rosová, Filip Gucmann, Jaroslav jr Kováč, Igor Matko, Martin Kuball, Ján Kuzmík Záhlavie-meno Chauhan, Prerna (Autor) Ďal.zodpovednosť Hasenöhrl, Stanislav Z5 (Autor) Vančo, Ľubomír, 1983- Z2 (Autor) - Centrum STU pre nanodiagnostiku Šiffalovič, Peter (Autor) Dobročka, Edmund, 1955- Z5 (Autor) Machajdík, Daniel (Autor) Rosová, Alica (Autor) Gucmann, Filip, 1987- (Autor) Kováč, Jaroslav jr. 1977- Z1 (Autor) - FEI Ústav elektroniky a fotoniky Matko, Igor (Autor) Kuball, Martin (Autor) Kuzmík, Ján (Autor) In CrystEngComm. -- ISSN 1466-8033. -- Vol. 22, iss. 1 (2020), s. 130-141 Jazyk dok. angličtina Druh dok. RBX - článok z periodika Kategória ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch Kategória od 2022 V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu V databázach CC: 000503002100014
SCOPUS: 2-s2.0-85076693160Rok 2020 
článok
Počet záznamov: 1