Počet záznamov: 1  

Semi-insulating GaN for vertical structures: role of substrate selection and growth pressure

  1. Údaje o názveSemi-insulating GaN for vertical structures: role of substrate selection and growth pressure / aut. Peter Šichman, Stanislav Hasenöhrl, Roman Stoklas, Juraj Priesol, Edmund Dobročka, Štefan Haščík, Filip Gucmann, Andrej Vincze, Aleš Chvála, Juraj Marek, Alexander Šatka, Ján Kuzmík
    Záhlavie-meno Šichman, Peter (Autor)
    Ďal.zodpovednosť Hasenöhrl, Stanislav Z5 (Autor)
    Stoklas, Roman (Autor)
    Priesol, Juraj, 1986- Z2 (Autor) - FEI Ústav elektroniky a fotoniky
    Dobročka, Edmund, 1955- Z5 (Autor)
    Haščík, Štefan Z5 (Autor)
    Gucmann, Filip, 1987- (Autor)
    Vincze, Andrej, 1975- (Autor)
    Chvála, Aleš, 1981- Z2 (Autor) - FEI Ústav elektroniky a fotoniky
    Marek, Juraj, 1983- Z2 (Autor) - FEI Ústav elektroniky a fotoniky
    Šatka, Alexander, 1960- Z1 (Autor) - FEI Ústav elektroniky a fotoniky
    Kuzmík, Ján (Autor)
    In Materials Science in Semiconductor Processing. -- ISSN 1369-8001. -- Vol. 118, (2020), Art. no. 105203 [5] s.
    Predmet.heslá GaN
    Vertical transistor
    Semi-insulating
    Jazyk dok.angličtina
    URLhttps://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S1369800120307344
    Druh dok.RBX - článok z periodika
    KategóriaADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch
    Rok2020
    rok vydaniarok metrikyIFIF Q (best)SJRSJR Q (best)
    202020193.085Q20.665Q1
    článok

    článok

Počet záznamov: 1