Počet záznamov: 1
Semi-insulating GaN for vertical structures: role of substrate selection and growth pressure
Údaje o názve Semi-insulating GaN for vertical structures: role of substrate selection and growth pressure / aut. Peter Šichman, Stanislav Hasenöhrl, Roman Stoklas, Juraj Priesol, Edmund Dobročka, Štefan Haščík, Filip Gucmann, Andrej Vincze, Aleš Chvála, Juraj Marek, Alexander Šatka, Ján Kuzmík Záhlavie-meno Šichman, Peter (Autor) Ďal.zodpovednosť Hasenöhrl, Stanislav Z5 (Autor) Stoklas, Roman (Autor) Priesol, Juraj, 1986- Z2 (Autor) - FEI Ústav elektroniky a fotoniky Dobročka, Edmund, 1955- Z5 (Autor) Haščík, Štefan Z5 (Autor) Gucmann, Filip, 1987- (Autor) Vincze, Andrej, 1975- (Autor) Chvála, Aleš, 1981- Z2 (Autor) - FEI Ústav elektroniky a fotoniky Marek, Juraj, 1983- Z2 (Autor) - FEI Ústav elektroniky a fotoniky Šatka, Alexander, 1960- Z1 (Autor) - FEI Ústav elektroniky a fotoniky Kuzmík, Ján (Autor) In Materials Science in Semiconductor Processing. -- ISSN 1369-8001. -- Vol. 118, (2020), Art. no. 105203 [5] s. Predmet.heslá GaN Vertical transistor Semi-insulating Jazyk dok. angličtina URL https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S1369800120307344 Druh dok. RBX - článok z periodika Kategória ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch Kategória od 2022 V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu V databázach CC: 000552273500002
DOI: 10.1016/j.mssp.2020.105203
SCOPUS: 2-s2.0-85086373675Rok 2020 
článok
Počet záznamov: 1